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"GAA기술" 검색결과 261-280 / 671건

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    플립 칩 패키징
    화(multiple functions) 및 고속화 (high speed)를 들 수 있다. 전자 시스템이란 여러 가지 별개의 기술이 적절히 어우러져 단일 기능을 수행하는 장치를 의미하는 것 ... 이므로, 이와 같은 전자 산업의 발전 경향은 많은 양의 정보를 신속하고 정확하게 처리하기 위한 반도체 기술의 발전뿐만 아니라 시스템 내에서의 신호 전달 및 상호 시스템간의 신호 ... 전달에 기여하는 반도체 패키징 기술의 발전을 또한 요구하는 것이다.플립 칩 패키지는 시스템의 발전을 뒷받침하기 위한 패키징 기술 중 가장 발전된 1차 패키징(first level
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    | 리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.11.06
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    태양에너지 Solar Energy
    유리나 스테인리스 스틸 또는 폴리머 , Ge , GaAs , 메탈 호일 등 사용 - 85% 를 넘는 시장점유율을 기록 지난 수십 년 간 태양전지는 p-type 의 초크랄스키 실리콘 ... 기판을 사용 품질 및 효율향상 , 내구성 강화 등의 기술개발을 통하여 제조 원가를 절감 252627 CONCLUSION 태양열에너지는 말 그대로 태양열을 이용해 증기를 데워 그것
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    | 리포트 | 29페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.05.03 | 수정일 2014.05.19
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    화합물 반도체
    radiation) 검지기 등으로 나눌 수 있다.1.2 종류III-V 반도체II-VI 반도체p형 / n형 불순물GaAs : AlGaAs, GaInP,AlGaInP, InAlPInP ... 하게 구해져 있다. 그림6과 7은 각각 GaAs와 CdTe의 상태도로서 대부분의 Ⅲ-Ⅴ와 ⅡⅥ 화합물 반도체는 이와 같은 형태의 상태를 보인다. 즉 두 개의 공정 반응이 존재하고 극히 ... 쓸 수가 있다. 또한 실리콘의 경우에는 집적도가 높아지면 소자간 분리기술로 일부에 절연층을 형성해야 되지만, 갈륨비소는 원래 고저항이기 때문에 그대로 절연층의 역할을 한다.화합물
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    | 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02
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    LED-TV의 현황과 R&D 방향
    2004000000 홍길동 Led-tv 의 현황과 R D 방향Contents 1. LED-TV 의 현황 3. LED 연구개발 동향 2. LED 의 기술 현황 4 ... 제품 마케팅 강화1. LED-TV 의 현황 LED 의 현재 및 전망 참고자료2. LED 의 기술현황 2006 년 7 월 1 일부터 EU 의 RoHS( 수은등 중금속규제 ... ) 와 미국의 형광램프 ( 수은 ) 규제와 같은 환경규제 때문에 무수은광원인 LED 의 효용성이 부각되고 있음 LED 자체의 기술수준은 이제 상당한 정도까지 높아져 소자수준의 개선이
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    | 리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.23
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    LED 제조 공정
    을 나타내며, 나머지의 재결합은 열로 변환한다.LED 제조 공정■ 화합물 반도체란두 종류 이상의 원소화합물로 이루어진 반도체 질화갈륨(GaN), 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP ... (배열)의 합성어로서 결정구조를 갖는 물질(기판)위에 기판과 같거나 또는 다른 결정구조를 갖는 물질을 성장시키는 기술 -호모에피텍시 : 기판과 같은 결정구조를 성장하는 것 -헤테로 ... 시켜 결정을 성장 → 1963년 Nelson에 의해 최초로 구현 Si, GaAs, AlGaAs, GaP 에피텍시 성장에 이용 VPE : Vapor Phase Epitaxy(기상증착법
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    | 리포트 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.06.08
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    광소자의특성
    apply 0~30v (1ea)270?-resistance (1ea)seven-sagment (1ea)5. 이론광전자 공핵은 광학기술과 전기 공학이 조립된 분야이다. 광전가 광학 ... (electroluminescence) 이라고 부르는 과정을 보여주고 있다.LED에 사용되는 반도체 재료는 GaAs(gallium arsenide)GaAsp(gallium arsenide phashide ... ) 또는 Gap(gallium phashide)이다. 실리콘과 게르마늄은 본질적으로 열 생성 물질이며 빛 생성능력이 극히 저조하기 때문에 사용되지 않는다. GaAs LED는 적외선
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.17
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    태양전지 report
    태양전지, 상용화 될 수 있을까?Contents서론본론(1) 태양전지?(2) 태양전지산업의 강점 / 약점(3) 세대별 태양전지의 국내외 기술동향결론REFERENCE서론수업을 듣 ... 둔화되다가 1970년 에너지 위기에 직면하면서 미국 정부와 산업계에서 지상용 전력으로 본격적으로 도입이 시도되었으며,1980년대에는 단결정 실리콘 태양전지 제조 기술의 급격한 발전 ... 해서는 태양전지의 고효율화 기술과 저가화 기술이 중요한 핵심 기술이라고 할 수 있다.이러한 문제점들을 해결해나가는 요즘의 기술동향과, 산업적인 변화에 초점을 맞추어 최근 어떤 태양
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    | 리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.03.08
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    LED의 개요와 원리, 산업구조에대한 설명입니다
    Light Emitting Diode7조 박중훈 20085606 강지현20095625 김이영20095626목차LED1) LED란?3) LED 원리4) LED 재료2) LED 기술 ... 어내고, 이들의 재결합에 의해 발광시키는 것. 발광다이오드 라고하며 반도체에 전압을 가할 때 생기는 발광현상은 전기 루미네선스 라고 한다.LED 기술개발의 역사LED 기술개발 ... 의 나카무라 슈지가 고효율 청색 LED를 최초로 상용화 1996년 니치아의 나카무라 슈지가 백색 LED를 발명▶pn 접합다이오드 구조 Ⅲ-Ⅴcompounds :GaP, GaAs
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    | 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.10 | 수정일 2023.02.06
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    HEMT (High Electron Mobility Transistor)
    는 것은 당연하다. SiGe 기반 HEMT 은 현행 Si 반도체 제조 기술적용이 가능하다는 점에서 GaAs 나 InP 기반 HEMT 보다 기본적으로 제조가 보다 용이하다. 실제적인 ... z C O N T E N T S zNoS u b j e c tPage1.용어 설명22.개발 역사23.구조 및 동작 원리3- HEMT 개발에 있어 GaAs 가 가지는 장점4- 도핑 ... 가 축적된다는 기술이었다. 이 기술은 이미 초격자 분야에서는 알려진 사실이었다.● 이런 계기로부터 출발해서 결국 발명에 이르렀고, 특허까지 받게 되었다. 또한 HEMT 개발 성공한지
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04
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    [광통신][광통신 발전][광통신 구현][광통신연구소]광통신의 개념, 광통신의 특징, 광통신의 발전, 광통신의 구현, 광통신의 장점, 광통신의 단점, 광통신과 광통신연구소 분석
    적으로 추진할 필요가 있다.한편, 미국, 일본, 중국 등 세계 각국은 우리나라의 초고속통신망 구축의 성공사례를 벤치마킹하여 정보인프라 구축 및 관련 기술개발을 촉진하기 위한 발전전략 ... 이 통신, 방송, 인터넷, 이동통신 등으로 다양화됨으로써 원스톱-논스톱 행정서비스를 구현할 수 있게 될 것이다.기술?산업적 측면에서도 BcN 장비의 핵심 원천기술 확보를 통해 관련 ... 기술선점 및 국제 기술경쟁력을 확보할 수 있을 것이다. 아울러 BcN 구축은 IT신성장동력 육성의 핵심기반을 제공하고, BcN을 통한 전통산업의 IT화 및 유비쿼터스 환경
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    | 리포트 | 6페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.04.11
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    나노 태양전지 (nano solar cell)
    ) : GaAs/Ge, GaInp/GaAs나노 태양전지나노기술을 태양전지의 분야에 접목시킨 산업으로 나노입자를 이용한 염료감응형 태양전지, 복합나노구조형 플라스틱 태양전지, 나노결정 ... 태양전지 박막형 : 비정질 실리콘,CdS,CdTe 집광형 : GaAs 계열 적층형등 위성용 태양전지 Ⅵ족 : 단결정 실리콘 GaAs 계열 : GaAs, InP등 적층형(Tandem
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.03.14 | 수정일 2015.10.23
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    [레이저광][레이저광 특성][레이저광 이용][레이저광 도플러효과][표면광레이저][레이저]레이저광의 특성, 레이저광의 이용, 레이저광의 도플러효과, 레이저광과 표면광레이저 분석
    Lithography에 이용6. 생물학 및 의학분야에 이용7. 근접장 주사현미경에 이용8. 고속 광 마이크로모터에 이용9. 레이저 인쇄기술에 이용10. 미립자 특성연구에 이용Ⅳ ... 온도와 함께 크게 변하는 성질이 있다.-발진파장은 0.5～0.8㎚/2～3℃ 정도이고 전체로는 0.3㎚/℃(GaAs)～0.5㎚/℃이다.-직접변조를 하면 파장은 0.2～0.3 ... 을 수백m 공간에 집속시킬 때, 발생하는 레이저 광압을 이용하여 여러 가지 형태의 미립자를 공중에 부양시킬 수 있다. 특히, 레이저 공중 부양기술은 핵융합연구에서 필수적인 반응물질
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    | 리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.27
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    아일랜드 감상문(유비쿼터스 사회와 관련하여.. )
    주제 레포트주제 : 아일랜드 감상문 (유비쿼터스 사회와 관련하여)1. 개요 (아일랜드의 전체 줄거리)2. 아일랜드에서 등장한 유비쿼터스 기술(유비쿼터스 사회와 관련하여)1. 개요 ... (아일랜드의 전체 줄거리)아일랜드는 바이오테크사의 Dr.메릭이 만든 인간복제기술. 즉, 클론을 만들어 사람들의 영원한 꿈인 불로장생을 이루려 한다. 그 방법은 수명이 다한 장기 ... .2. 아일랜드에서 등장한 유비쿼터스 기술(유비쿼터스 사회와 관련하여)이 영화는 먼 미래, 즉 2050년에 유전자법이란 것이 만들어지고 바이오테크의 메릭이 이 시스템을 만든 미래
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.11
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    LED 설계 (AlGaInP)
    AlGaInP의 특징0. Is lattice matched to GaAs1. Red, Orange을 만드는 고효율 material2. 620nm의 빛을 내기 위해 x=0.15로 한다.Eg ... 는 책에 나와있는 내용을 토대로 만든것이기본적인 여러 기술을 이용하여 LED설계에 적용하였지만, 구체적 parameter값들은 실험적 측정과 특정 파장에 대한 결과만 책에서 보여준다. 따라서 큰
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.03
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    LED의_기술동향과_발전방향
    LED의 기술동향과 발전방향200830261 강인규outline1. LED? 2. LEDof Driving Principles Applications Field 3. LED of ... (Biological and Health)LED의 발달과정○ 화합물 반도체를 이용한 발광다이오드(LED)는 1962년에 미국 GE사에서 GaAs-pn 접합 으로 근적외선 발광을 발표한 것 ... inspectionDioingChip inspectionDie bondingWire bondingPackagingFinal inspectionShipmentLED의 기술혁신눈부시게 발전한 조명의 효율
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    | 리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.07
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    Solar cell, 태양전지에 대해서
    (laser diode)와 반대라고 생각하면 된다. 태양에너지 기술은 꾸준히 발전하여 현재 일부 시스템이 상용화 되었거나 상용화를 서두르는 단계에 와 있다.대부분 보통의 태양전지 ... 하게 된다2. 태양전지의 종류(1) 무기물 태양전지실리콘 계열 태양전지와 CdTe, GaAs, CIGS와 같은 반도체 태양전지가 이에 속한다. n형 반도체 물질고 p형 반도체 물질 ... 협소함에 따라 대체에너지기술개발 사업의 결과로 추진되던 LG Siltron사의 단결정 실리콘 태양전지 제조하업도 연구개발의 성과품인 Pilot Plant로 1994년부터 사업
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.05
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    Hall Effect에 의한 전기적 특성 분석
    효과 트랜지스터(Si-MOSFETs)의 반전층 등이 고전적인 예이다. 갈비/알갈비 이질구조(GaAs/AlGaAs Heterostruc- tures), 양자 우물, 초격자 등 ... 은 1970년대 이후 발전된 에피탁시 기술에 의하여 등장한 비교적 현대적인 예들이다. 반도체 표면의 전자를 제어하려는 노력은 1920년대부터 시작되었다. 즉 금절반(MIS) 구조에서 금속 ... 으로 설파되었으나 실험적으로 관측하기는 어려울 것으로 믿어졌는데, 이는 당시 반도체 정제기술의 미숙과 깨끗한 반도체-절연체 계면을 제작하는 기술의 모자람으로, 계면의 거칠기와 불순물
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    | 리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.28
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    반도체 결정 제조공정
    . 결정 성장법3. 웨이퍼 제작단계4. 공정 기술5.참고자료------------------------------------------------------------------- ... encapsulated czockralski)용융체로 부터 GaAs와 같은 화합물을 인상할 경우에는 휘발성 원소(As)가 증발하는 것을 막아야한다. 이때 사용되는 결정성장 방법이 LEC ... (액상 밀봉식).GaAs, Inp, Gap에서는 성분원소의 as나 p의 중기압이 높으므로 1기압의 환원성 분위기 속에서는 as나 p의 부족을 초래한다. 용융상태에서 용액위에 밀도
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.04
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    화합물반도체
    화합물 반도체⇒GaAs, InP, InAs, GaSb등Ⅱ−Ⅳ화합물 반도체⇒Cds, ZnS, CdSe, ZnSe등기타 화합물 반도체⇒SiC, SnO2, PbS등2개 이상의 원소 ... 2.1966년 GaAs 쇼트키 게이트(Sc- hottky Gate) 발명 전계효과 트랜지스터(GaAs MES- FET)를 발명 3.1973년 HP (Hewlett-Packard)사 ... 가 최초의 GaAs MESFET 논리게이트를 발표 ` 4.1980년대 AlGaAs/GaAs 헤테로 구조를 이용한 고이동도 트랜지스터(HEMT)의 발명 셀프 얼라인(Self
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    | 리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20
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    방사선센서, 방사선센서 종류
    은 저출력 파고가 관측되므로 비저항의 최적조건와 불감층을 얇게 하는 전극표면 기술이 중요하다.나. Si, Ge 방사선 센서: 전기적인 잡음반치폭이 100eV이며, 측정회로와 연결 ... 의 저온장치를 부착한 가반형 방지 시스템에 이용된다.라. 화합물 반도체 방사선 센서: GaAs, CdTe,HgI _{2}, GaSe, SiC, 다이아몬드, ZnTe,B`i _{2} S
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.11.21
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2025년 11월 11일 화요일
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