"DRAM제조공정"의 검색결과 입니다.

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"DRAM제조공정" 검색결과 201-220 / 703건

삼성SDI(삼성전관) 역사, 삼성SDI(삼성전관) PDM(제품데이터관리)개발, 삼성SDI(삼성전관) 성과보상확대, 삼성SDI(삼성전관) 인적자원개발,삼성SDI(삼성전관) 노사관계

현장(공정, Line등)을 혁신하는 ”제조혁신“이 있고, 이러한 혁신활동은 궁극적으로 재무성과 연계될 수 있도록 강력한 ”재무혁신“이 이루어져야 한다는 것이 삼성SDI의 경영혁신 ... ) 안정적 노사관계로의 전환기 : 1999년부터 현재까지2. SDI 부산사업장의 노사협의회 : 현재의 모습Ⅶ. 결론참고문헌Ⅰ. 서론지속적으로 소폭하락하던 DRAM 가격은 지난주 ... 는 별다른 움직임 없이 안정되어 흐름을 유지하였다. 단기적으로 DRAM가격이 바닥을 확인하는 시점까지 인내를 갖고 기다려 볼 필요가 있으나, 삼성전자는 마이크론의 급등세에 비해서

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 18페이지 | 7,500원 | 등록일 2013.08.06

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삼성전자 반도체산업 연혁, 삼성전자 반도체산업 요인, 삼성전자 반도체산업 메모리제품, 삼성전자 반도체산업 연구개발, 삼성전자 반도체산업 쟁점, 향후 삼성전자 반도체산업 개선 과제

하였다는 것은 이 같은 사실을 뒷받침하고 있는 증거라고 할 수 있다. 그러나 외국인 투자업체나 국내업체 모두 반도체 생산의 최종공정인 단순조립에만 머물러 설계, 웨이퍼의 가공 등 ... 되는 구조에서 기술능력의 발전은 원천적으로 불가능하였다. 반도체제조를 위한 한국내의 유일한 투입은 저렴한 勞動力이었는데, 노동비용은 1969년의 경우 다이오드나 트랜지스터의 생산비 ... 높은 사업이었다. 당시 DRAM은 선진국이 해외에 대해 기술이전을 꺼리고 있는 품목이었고 또한 미·일 반도체마찰에서 나타나듯이 미·일간에 치열한 경쟁이 벌어지는 분야였기에 삼성

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 14페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.07.22

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미국 기업 분석-인텔(Intel)

1968년 집적 회로 생산을 위한 인텔의 공정 기술은 갈수록 고도화되고 정밀해지고 있다. 인텔은 마이크로프로세서 설계의 고도화에 맞춰 혁신적인 첨단 제조 공정을 개발해 왔다. 차세대 ... 제조 기술이 도입될 때마다 반도체 회로 식각 공정의 정밀도가 향상되고 있다. 최초의 마이크로프로세서는 10 마이크론 공정 기술로 생산되었다(1 마이크론은 1백만분의 1미터). 인텔 ... 펜티엄 프로세서는 0.35 마이크론 공정 기술로 생산되며, 펜티엄 II 프로세서는 0.25 마이크론 공정 기술로 생산된다.지속적인 공정 기술 개발로 제조 공정 기술이 한 단계 발전

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| 리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.05.28

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하이닉스의 반도체부문의 분석

(CMOS 이미지센서) 사업에 재 진출 했습니다CIS는 각종 IT 기기에서 전자 필름 역할을 하는 비메모리 반도체이며, 비메모리 반도체임에도 생산 공정이 메모리반도체 기술과 연관 ... 의 다양한 요구에 맞는 제품을 공급하기 위해 고화소 미세공정 기술을 확보하는 등 CIS 사업의 새로운 장을 열어가고자 합니다*스마트폰의 보급이 급격히 늘어나면서 카메라폰 용 CIS ... 의 수요가 더욱 늘어날 전망임.재무재표분석매출분석DRAM 가격 급락에 따른 매출 감소로 지난 분기 대비 전체 매출 감소DRAM 매출 감소: 전 분기 대비 ASP 29% 하락, 출하량

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| 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.14

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SK하이닉스 기업분석

DRAM 수요는 PC에서 모바일 영역으로, NAND 수요는 모바일에서 PC영역으로 확대됨에 따라 향후 지속적인 성장이 예상.반면 공정 미세화의 기술은 한계에 다다르고 있으며, 생산 ... 중심에서 제품 가치 증대를 통한 수익성 중심으로 경쟁의 패러다임이 빠르게 전환. 지금까지 생산능력 확대와 생산원가 절감이 주요 경쟁 목표였던 시기에는 제조/공정기술, 대규모 설비 ... .skhynix.com(4)주요 사업의 내용-반도체소자 제조 및 판매-반도체소자 기타 이와 유사한 부품을 사용하여 전자운동의 특성을 응용하는 기계, 기구 및 이에 사용되는 부품

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| 리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.12.03

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캐쉬 메모리와 가상 메모리 과제입니다.

, PROM, EPROM, EEPROM, Flash memory로 나눌 수 있다.Mask ROM의 경우는 제조 공정에서 미리 내용을 주입해 저장하여 수정이 불가한 특성을 갖는다.PROM ... 게 DRAM과 SRAM으로 구분할 수 있다.DRAM은 저장된 정보가 시간에 따라 소멸되기 때문에 주기적으로 재생시켜야 하는 특징을 가지고 있다. 구조가 간단해 집적이 용이하지만 상대 ... 적으로 저속이므로 대용량이 필요한 메인 메모리 모듈에 사용된다. SRAM은 DRAM 보다 값이 비싸고 구조적으로 복잡하지만(더 많은 트랜지스터를 필요로 한다) 처리속도가 빠르게 동작

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.10

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반도체 산업과 삼성전자 반도체의 성공요인 분석

적인 기술이 부족하여 핵심부품의 대부분을 일본에서 수입해야만 했다. 이에 삼성은 기초기술 위주이며 응용기술의 비중이 낮은 DRAM을 생산하는 전략을 채택했다. 연구개발과 반도체관련 ... 여러 역할 등을 수행하기 위해 미국 San Jose에 현지법인을 설립하였다. 외국기업과의 기술제휴를 통해 불과 6개월 만에 64K DRAM의 개발에 성공하였다. 또한 기흥공장 ... 을 6개월 만에 건설하였다. 하지만 이후에 반도체사업의 불황이 찾아왔다.그러나 삼성은 1986년 7월 1M DRAM의 개발에 성공하여 세계를 놀라게 했다. 삼성반도체에 서관이 밝아 온

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| 리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.06

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삼성전자 반도체 사업의 환경분석

(cache), 전자오락기 등에 사용 V 램 화상경보를 기억하기 위한 전용메모리 비휘발성 (ROM) Mask 롬 제조 공정시 고객이 원하는 정보를 저장 전자게임기의 S/W 저장 ... 512Mb DDR2 대량 생산 2006. 07 60 나노급 공정 기술을 사용한 8Gb NAND 플래시 대량 생산 및 업계 최고의 집적도로 8GB NAND 플래시 메모리 디바이스 ... 개발 발표 2006. 08 80 나노급 공정 기술을 사용한 1Gb DDR2 메모리 최초 대량 생산 2006. 09 CTF(charge trap flash) 기술을 사용한 40 나노급

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| 리포트 | 51페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.07.14

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판매자 표지

삼성전자 합격 자소서+2016하반기 삼성전자 면접+삼성고용디딤돌

환경 차 등으로 다각화 되고 있습니다. 이 분야는 특히 많은 기업들에게 매력적이라고 생각합니다. 자동차는 더 이상 기계공학 중심의 제조업이 아닙니다. 거의 모든 부분에 전자시스템 ... 의 식 이용 / DRAM 으로 설명 / L,W이용 / 트랜지스터 고성능화를 위해 유전막의 어떤 성능과 품질을 높여야 할까?2) 웨이퍼의 크기(size)가 점점 커지고 있다에 관련 ... 된 질문3) STI 공정 중에 oxidation층의 step coverage 문제점과 해결법2. 창의성- 1~2가구의 등장과 노령화시대가 증가하면서 펨펫족이 늘어나는데 이와 관련

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| 자기소개서 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.11.20 | 수정일 2016.11.25

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삼성전자반도체사업환경분석

에 컴퓨터의 캐시 (cache), 전자오락기 등에 사용 V 램 화상경보를 기억하기 위한 전용메모리 비휘발성 (ROM) Mask 롬 제조 공정시 고객이 원하는 정보를 저장 전자게임기의 S ... Matrix 비메모리 시장 본 론 2006. 03 세계 최초로 80 나노 급 512Mb DDR2 대량 생산 2006. 07 60 나노급 공정 기술을 사용한 8Gb NAND 플래시 대량 ... 생산 및 업계 최고의 집적도로 8GB NAND 플래시 메모리 디바이스 개발 발표 2006. 08 80 나노급 공정 기술을 사용한 1Gb DDR2 메모리 최초 대량 생산 2006

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| 리포트 | 51페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.07.26

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삼성반도체의 기술혁신 전략 - 레포트

독자접 집적회로 특허 신청 1971년 1024bit 메모리를가진 1K RAM 개발 1970년 초반에 4K DRAM 소개 1970년대 이후에 16K RAM 소개 1980년대 256 ... K DRAM 출시 이후 1M DRAM 4M DRAM 2001년 4G DRAM 삼성전자에 의해 세계최초 개발 ... 메모리 사업 추진 준비1987~1991 메모리 사업기반 구축87~90년 3라인 대규모 투자 16MD램 공동 최초 개발01~02년 세계 최초 4GD램 공정 기술 개발 반도체 시장

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| 리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.05.07

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intel의 경영전략

공격로 인해 DRAM 시장 철수 CPU 사업전환 → 초기 진입장벽 빠른 상황판단으로 위험감수 → CPU 산업 우위 01 Risk Tasking 공격경영잠재 진입자 : 낮음 산업 내 ... 대 KSF 1985 년부터 약 10 년 간 진행된 인텔사의 공정 획일화 시스템 건설 전 세계 인텔공장의 공정 획일화를 통해 본사에서 직접적인 제어가 가능 02 → 신제품을 적시에 시장 ... 대 KSF 1990 년 대부터 8 년간 전 세계 1500 개 컴퓨터 제조업체가 제품에 “Intel Inside” 로고 스티커 부착 Intel Inside 캠페인은 인텔의 브랜드 네임

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| 리포트 | 49페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.04.22

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반도체 산업과 하이닉스의 핵심역량 분석

적 성장을 통해 최고의 만족과 최대의 가치를 제공해 주는 오래가고 좋은 회사이다.(2) 진출 분야1) DRAM하이닉스반도체는 공정 기술의 혁신을 통하여 세계 최고의 생산 능력을 갖추 ... 를 개발C를 대상으로 하는 DRAM은 휴대하기 편리하도록 소형폼팩터 형식으로 생산되며, 전력의 효율성을 높이기 위해 저전력으로도 동작이 가능하다.① DDR4 D램DDR4 D램은 현재 ... 프로세서에 이 기술을 적용할 예정이다.③ 20나노급 공정나노미터(1나노미터=10억분의 1m) 공정은 실리콘 반도체 원판인 웨이퍼에 새겨 넣은 전자회로의 선폭을 10억분의 1m

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| 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.06

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[합격자소서] 삼성전자(기술직) 대졸 신입사원 공채 최종합격자 자기소개서 유출 / 삼성전자채용 / 삼성전자 합격방법 / 삼성전자합격자소서 / 삼성전자자기소개서 / 삼성전자 면접질문 / 삼성면접

가전 및 AV 기기의 제조/판매를 하였으나, 1974년 한국반도체 인수와 1983년 창업주 이병철 회장의 동경선언 (DRAM 사업 진출 선언)을 통해 반도체 부문의 성장이 시작 ... 감을 갖게 되었습니다. 또한 2학년 때부터 디스플레이 연계전공에 지원하여, CF패널 샘플 제조 공정에도 참여하였습니다. 그리고 직접 삼성 LCD 모니터 패널을 실제 공정의 역순 ... ..정보통신 사업: 3G폰, 스마트폰, 네트워크 시스템 등 완제품 생산/판매- DS 부문 (부품 부문)..반도체 사업: DRAM, LSI, HDD 등 생산/판매..LCD 사업: TV

Non-Ai HUMAN
| 자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.02.07

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[A+] 삼성전자 모바일 사업부의 성장 모멘텀과 글로벌 플레이어 전략 / 휴대폰시장에서 선진국/신흥국시장의 수요 / 이동통신 1세대~3세대 휴대폰 시장이 변화에 따른 KSF 변화과정 / 이동통신 4세대 차별화전략

은 DRAM, NAND Flash 제품 등 초미세 공정 기술을 적용하여 경쟁사 대비 차별성 있는 제품의 생산과 원가 경쟁력을 지속적으로 확보하여 전세계 메모리 시장의 선두 자리를 지속 ... Evolution(LTE), 모바일 WiMAX 등 글로벌 통신 산업을 이끌고 있습니다.[부품 부문]부품부문은 DRAM, NAND Flash 등 정보를 저장하고 기억하는 메모리와 모바일 ... AP, 주문형 반도체 등을 생산/판매하는 System LSI 등의 반도체 사업과 액정화면표시 장치인 TFT-LCD가 대표적인 사업으로 구성되어 있으며 DRAM 등 정보저장 용량

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| 리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.01.06

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하이닉스반도체,마케팅,브랜드,브랜드마케팅,기업,서비스마케팅,글로벌,경영,시장,사례,swot,stp,

력 중심에서 제품 가치 증대를 통한 수익성 중심으로 경쟁의 패러다임이 빠르게 전환되고 있습니다. 지금까지 생산능력 확대와 생산원가 절감이 주요 경쟁 목표였던 시기에는 제조/공정기술 ... . 주요 사업의 내용현재 당사의 주력 생산제품은 DRAM, 낸드플래시 및 MCP(Multi-chip Package)와 같은 메모리 반도체 제품이며, 2007년부터는 시스템 LSI ... -. 반도체소자 제조 및 판매-. 반도체소자 기타 이와 유사한 부품을 사용하여 전자운동의 특성을 응용하는 기계,기구 및 이에 사용되는 부품과 재료 등의 제작, 조립 및 판매-. 컴퓨터 활용

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| 리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.05.03

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RAM의 종류

은 좋지 않다. 제조회사에 따라서 제조공정이 서로 다를 수 있기 때문에 같은 뱅크에 혼용하는 것을 가능한 피하는 것이 좋다. 물론 100% 안된다는 말은 아니다. 그러나, 만약 에러 ... 가 윈도우즈 98/95로 바뀌게 되면서 메모리의 요구량은 갈수록 높아지고 있다.RAM은 크게 SRAM(Static RAM;정적램)과 DRAM(Dynamic RAM;동적램)으로 구분 ... 전원을 연결한 상태에서도 데이터가 지워지는 속성을 지닌 칩이 있는데 이를 DRAM(Dynamic RAM)이라고 한다.전원이 켜진 상태에서도 메모리가 지워진다면 RAM이라고 할수

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.18

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제조업 품질관리 성공,실패사례 - SK 하이닉스, 마텔, 유키지루시

[ 품질경영 ] “ 제조업 품질관리 성공 , 실패 사례 ”품질이란 ? 성공 사례 _ SK 하이닉스 실패사례 _ 유키지루시 , 마텔 결론 및 시사점 ? [ 품질경영 ] 목차 C ... 회사로 설립 1999 년 10 월 LG 반도체를 흡수 합병 2001 년 3 월 하이닉스반도체주식회사로 사명을 변경 DRAM, 낸드 플래시 , CIS 등을 생산하는 종합 반도체 기업 ... 을 옮긴 엔지니어도 이 시스템을 통해 높은 수준의 결과물을 빠르게 얻어낼 수 있게 됐다 . - 제품 품질 또는 공정 문제 발생시 분석 시간을 평균 24 시간 이상 단축했다 . 빠른

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| 리포트 | 22페이지 | 4,000원 | 등록일 2015.03.15

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[경영학]하이닉스 기업분석

제품메모리 반도체분야에 편중된 구조 -DRAM 등 메모리 제품이 91% 차지 높은 제조장비 해외 의존도 - 소규모 업체의 약점 - 일본의 반도체 장비의 수급 조절 예상 반도체 재료 ... 분석 2. 영업분석 세계 최고 수준의 공정기술 보유 DRAM 시장에서의 세계적인 경쟁력 제품의 신속한 개발 및 출시 능력 디지털 컨버젼스의 가속화로 반도체 수요증대 선도 시스템 내 ... 주기 시장 동향 산업구조 분석 산업 내 하이닉스의 문제점1. 산업분석 반도체 산업의 정의 반도체 재료 및 반도체 전자회로소자의 제조 , 제작과 이들의 응용을 생산의 목적으로 하

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 49페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.11.22

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반도체 산업

꾸준히 성장해 온 DRAM시장 80nm 설계 기술을 적용하는 데 성공했다. 그 이후 90nm 및 80nm 공정 기술을 사용하는 고용량 DRAM 디바이스의 판매 증대와 60nm ... 공정 기술을 사용하는 NAND 플래시 메모리의 시장 점유율 강화에 전념했다.- 그래픽 DRAM, 독점 기술의 OneNAND™(NOR의 빠른 읽기 능력을 NAND의 용량과 에서 부동 ... 다.StrengthsWeaknesses- 세계 최고 수준의 공정기술 보유- DRAM 시장에서의 세계적인 경쟁력- 제품의 신속한 개발 및 출시 능력- 차세대 응용제품 설계 인력 부족- 타

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.08.05

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