"전자측정"의 검색결과 입니다.

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"전자측정" 검색결과 181-200 / 60,660건

울산대학교 전자실험결과1 PN접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압

전자 실험 1장. PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압학번 : 20171979 이름 : 전준영전자 실험 1장. PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압학번 : 이름 ... :1. 실험 결과- 저항들의 값표시값1kΩ1MΩ측정값1kΩ1MΩ(1) 다이오드 검사(a) 다이오드 검사 기능을 이용순방향 바이어스역방향 바이어스상태SI570[mV]OL양호Ge583 ... [mV]OL양호표 1-1. 다이오드 테스트(b) 저항으로 측정테스트순방향 바이어스역방향 바이어스상태SI4.72[kΩ]OL양호Ge4.89[kΩ]OL양호표 1-2 다이오드 저항 측정(2

리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.20

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울산대학교 전자실험예비1 PN접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압

전자회로 1. PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압학번 :1. 실험 목적전압과 전류사이에 Ohm의 법칙이 성립하지 않은 다이오드의 비선형 관계를 측정하고, 다이오드의 동작 ... OL(Open Loop)이라고 표시하기도 한다. 만약 DMM이 다이오드 상태를 검사할 수 있는 기능이 없을 경우에는 순방향과 역방향으로 연결하여 저항을 측정하면 그 상태를 파악 ... 어지므로 커패시턴스 용량이 감소한다.3. 시뮬레이션2. 순방향 바이어스 다이오드 특성실험VR(V)측정0.1020.20.30.401

리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.20

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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정

이 가장 크다고 생각한다. 실제 측정 환경에서는 PSPICE 상의 실험 환경보다 고려해야 할 점이 더욱 많기 때문 이다. 그러므로  과  을 비롯한 MOSFET의 parameter는 필요한 순간의 실험 환경 에서 측정한 값을 이용하는 것이 옳다고 생각한다.

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.06

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[알기쉬운 기초 전기 전자 실험 (문운당)] 11, 12. 휘트스톤 브리지에 의한 저항 측정, 오실로스코프 사용법 및 위상 측정 결과보고서 (A+)

(1) 브리지를 진동이 없는 장소에 수평으로 놓고 미지저항을 연결한다. (2) 비례변 다이얼을 눈금 1에 일치시키고 평형변 다이얼은 100 [Ω]에 일치시킨다. (3) 전지와 연결된 스위치 K1을 닫은 후에 검류계의 스위치 K2를 닫고, 검류계의 편위 방향을 확인하여 ..

리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.12.31 | 수정일 2024.01.04

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[A+]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서

(E) PSPICE를 이용하여iD-VDS 특성곡선을 제출하여라. 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC 이름 적기(Drai..

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.03.09

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전자응용실험 10장 결과 [OP-AMP를 이용한 인버터 입출력특성 측정]

전자응용실험1실험?. OP-AMP를 이용한 인버터 입출력특성 측정[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-15실험 10OP-AMP를 이용 ... 한 인버터 입출력특성 측정5. 실험 방법(1) 그림 10.3처럼 OP-AMP가 바이어스되게 소자분석기를 구성하고, 각 단자들은 다음 조건들을 만족하도록 한다. OP-AMP의 (-) 입력 ... 특성곡선을 측정한다.(3) Vcc와 Vee를 각각 10V,-10V로 변경하여 (1), (2)의 과정을 반복한다.(4) Vee값을 -15V에서 0V로 변경하여 (1), (2)의 과정

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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전자응용실험 10장 예비 [OP-AMP를 이용한 인버터 입출력특성 측정]

전자응용실험1실험?. OP-AMP를 이용한 인버터 입출력특성 측정[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조조원제출일2019-04-08실험 10OP-AMP를 이용 ... 한 인버터 입출력특성 측정1. 실험 목적OP-AMP의 특징을 이해하고, 이를 이용한 인버터 입출력 특성을 측정한다.2. 기초 이론1) OP AMPOP-AMP(operational

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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울산대학교 전자실험결과레포트 1장 PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압

PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압1. 실험결과표시값1kΩ1MΩ측정값988Ω1.01MΩ표 1.1 다이오드 테스트순방향 바이어스역방향 바이어스Si0.825V0VGe0 ... .8521V0V표 1.2 다이오드 저항측정순방향 바이어스역방향 바이어스Si4.827k4.827kGe4.839k4.839k.표 1-3 Si 다이오드의 Vd와 Id0.10.20.30.40 ... .73573M그림 1-6의V _{R} =2.34mV```````````I _{S} =2.34nA가 된다오실로스코프를 이용한 다이오드의 특성곡선 측정(a)공통접지(b) 별도접지1

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

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전자회로설계실습 2 예비보고서 Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계

전자회로설계 실습(4주차 예비보고서)소속담당교수수업 시간학번성명예비 보고서설계실습 2. Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계실습날짜교과목 번호제출기한작성자제출 ... 할 수 없다. 그 이유가 무엇인지 기술한다.그림1의 Op-Amp는 Open loop 형태이다. Open loop gain은 이상적인 회로에서 무한대이며, 이를 측정하여도 매우 큰 값 ... 이 측정된다. LM741의 Input Offset Voltage는 2 mV로 매우 작은 값을 가지게 되는데 그렇다면 출력전압은 무한대이거나, gain에 알맞은 매우 큰 값을 가져야

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.29 | 수정일 2022.03.31

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[A+][예비보고서] 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정

설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정3. 설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산 (A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하 ... 을 시뮬레이션 하여라. (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→ DC Sweep, Sweep

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.08

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[A+] 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 (예비보고서)

에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.2. 준비물 및 유의사항DC Power Supply(2channel) : 1대Digital Multimeter (이하

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.17 | 수정일 2022.03.27

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[중앙대학교 A+] 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서

의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.Ⅰ. 요약이번 실험을 통하여 VG=0V, VD=5V로 조정 후 VG를 0V부터 0.1V씩 높여가면서 전압 변동 ... 및 분석 1　MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, 게이트 전압 인가를 위해 와이어 대신 저항을 사용할 경우 1KΩ을 사용해도 된다. 또한

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.19

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[중앙대학교 A+] 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서

(E) PSPICE를 이용하여 특성곡선을 제출하여라.참고 : [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅 : Analysis type → DC Sweep, Sweep variable → Voltage, source → VDC 이름 적기(Drain..

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.19

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중앙대학교 전자회로설계실습 (예비보고서) A+ MOSFET 소자 특성 측정

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.16 | 수정일 2022.03.18

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중앙대학교 전자회로설계실습 4 MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서 (A+)

에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 알아보았다. Data sheet를 참고 하면는 약 2.1V 이고, 실습 후 2.1229V로 측정된 것과 비교해 봤을 때 약 0 ... 하는가? 실습이 잘 되었거나 잘못 되었으면 그 이유를 생각하여 서술한다. 오차가 크지 않게 측정이 되었고, 교수님과, 조교님께서 직접 진행하신 실습이라 실습은 잘못된점 없이 성공적으로잘 ... 되었다고 생각한다. 특성 곡선들을 직접 확인하며 값을 조정하며 의 값을 측정했을 때, 이론적으로, 실질적으로 MOSFET의 특성이 더 잘 이해되었다. 그렇기 때문에 설계실습이 잘 되었다고 생각된다.

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.06

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중앙대학교 전자회로설계실습 4 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서 (A+)

즉 Gate를 활성화 시키는 voltage는 2.1 V임을 알 수 있다. 측정값은 2.1229 V 였고, Data sheet에서 Gate threshold voltage 가 2.1 ... V 였고, 측정값과 비교하면 약 0.0229 V의 오차가 있음을 확인할 수 있다. 즉, Data sheet에서 확인한 Typ값과 측정값이 어느정도 차이가 있다는 것을 확인할 수 있다.

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.06

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[식품공학실험]전자저울측정과 엑셀을 이용한 데이터분석/Weight Measurement and Data Analysis Using Excel

가설이 기각될 때 대체되는 가설을 말한다.4. 재료전자 저울(0.001g 정밀도), 전자 저울(0.0001g 정밀도), 시료5. 실험 방법5.1 전자저울을 이용한 중량 측정1)무게 ... (0.1~100g)가 다른 물건을 준비한다.2) 전자저울을 사용해 각각의 샘플을 5번 측정한다.3) 측정한 결과를 바탕으로 계산기를 사용해 평균, 분산, 표준편차를 계산한다.4 ... 본 실험의 목적은 전자 저울을 이용해 식품 샘플의 정확한 무게 재고, Excel 프로그램을 이용한 데이터를 분석하는 데 있다.식품 공학 실험에서 도구나 기구를 사용하는 물리적 양

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.19 | 수정일 2021.08.31

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[A+] 중앙대 전자회로설계실습 결과보고서4 MOSFET 소자 특성 측정

전자회로 설계 및 실습결과보고서학 부전자전기공학부학 번조이 름실 험 일제 출 일담당 교수담당 조교설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정1. 서론트랜지스터의 종류 중 하나인 ... MOSTFET는 전자전기공학의 큰 비중을 담당한다. 회로설계에 있어서는 절대 빠져서는 안되는 소자로써, 전자전기공학도라면 반드시 꼭 익히고 숙달되어야 할 소자이다.이번 실험 ... 에 가해준 전압과의 관계 등을 정립하기 위해 iD-vGS의 특성곡선과 iD-vDS 특성곡선을 측정한 값들을 대입하여 그려보는 다각적인 실험이다.또한 소자의 Data Sheet를 통해

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.07 | 수정일 2021.04.16

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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정

설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정과 목 : 전자회로설계실습학 번 :조/이름:3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 VT ... V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.25

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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계

결과레포트 2. Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계1. 서론이상적인 Op Amp와 실제 Op Amp 에는 여러가지 한계가 존재한다. Offset ... Amp와 같은 소자들의 한계로 인해, 특정 주파수 이상으로 높이게 되면 발생하는 slew-rate 현상에 대해 알아보았다. slew-rate를 실험적으로 측정한 뒤, data ... sheet와 비교하여 측정방법이 올바른지 알아보았으며, 이를 통해 slew-rate와 Integrator 회로의 구조와 작동원리, 한계에 대해서 이해할 수 있었다.이번 실험은 위와 같이

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.05 | 수정일 2024.03.11

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