ZnO 단결정 박막 분석

소개

차세대 반도체 재료로써의 가능성을 위해 연구가 활발히 진행되고 있는 ZnO를 CVD를 이용하여 단결정 박막으로 성장시킨 후 반도체로의 이용이 가능한지 알아보기 위해 여러 장비를 이용하여 분석하였다.

사파이어(Al2O3) 기판에 ZnO를 RF sputter를 이용하여 단결정 박막으로 성장시키고 그 결과를 알아보기 위해 XRD로 2θ스캔, φ스캔을 하였다. 또한 시편을 절단하여 단면을 단결정으로서의 특성을 보이는지 알아보기 위해 FESEM으로 촬영하였다.

목차

목차

1. ZnO박막과 기판


2. 실험 개요


3. 분석
3.1 XRD
3.1.1 XRD의 구동 및 원리
3.1.2 XRD 결과분석

3.2 FESEM
3.2.1 FESEM의 구동 및 원리
3.2.2 FESEM 결과분석


4. 참고문헌

본문내용

1. ZnO 박막과 기판

ZnO는 상온에서 3.37eV의 큰 밴드갭을 가지며 단파장 영역의 GaN와 구조적 같은 Wurzite 형태이다. ZnO의 격자상수는 a=3.250Å, C=5.207Å이다. GaN의 격자상수는 a=3.189Å, c=5.185Å로 ZnO와 매우 비슷한 격자상수를 보인다. 게다가 밴드갭 역시 3.4eV로 ZnO와 거의 같다고 볼 수 있다. GaN을 대체할 재료로 ZnO가 주목받는 이유는 광학적으로도 비슷한 특성을 가지고 있는데다 안정적이고 저렴하기 때문이다.
(그림)
ZnO는 상온에서 3.37eV의 큰 밴드갭을 가지며 단파장 영역의 GaN와 구조적 같은 Wurzite 형태이다. ZnO의 격자상수는 a=3.250Å, C=5.207Å이다. GaN의 격자상수는 a=3.189Å, c=5.185Å로 ZnO와 매우 비슷한 격자상수를 보인다. 게다가 밴드갭 역시 3.4eV로 ZnO와 거의 같다고 볼 수 있다. GaN을 대체할 재료로 ZnO가 주목받는 이유는 광학적으로도 비슷한 특성을 가지고 있는데다 안정적이고 저렴하기 때문이다.
1. ZnO 박막과 기판

참고자료

· 없음