[OLED, LED] Photolithography를 이용한 ITO Pattern 제작

소개

실험주제 `Photolithography의 원리 및 공정과정에 대해 이해한다. 이를 바탕으로 직접 ITO를 이용하여 Pattern을 제작해보고 평가해본다.`에 대해 실험을 하고 실험에 대한 이론 조사 및 방법, 결과 분석에 대해서 썼습니다. 필요하신 내용이 있으신 분은 참고하시기 바랍니다.

목차

1. 실험목적
2. 실험기구 및 재료준비
3. 실험이론
① Lift off 고정과 Lithography 공정 비교
② 빛의 exposure타임이 PR pattern에 미치는 영향
③ etching시간이 금속 pattern에 미치는 영향
④ Photoresist coat
⑤ Photo exposure(노광)
⑥ Develop(현상)
⑦ SOFT BAKING 과 HARD BAKING
4. 실험방법
5. 실험결과
① mask pattern과 Lithography공정 후의 금속 pattern 비교
② 전자현미경을 촬영한 기판 ( 빛의 exposure시간에 따른 PR pattern상태 )
③ 전자현미경을 촬영한 기판 ( 빛의 exposure시간에 따른 PR pattern상태 )
④ etching 전 후 사진 비교
⑤ PR lithography time과 PR etching time은 Mow에 어떤 영향을 미치는가?
6. 결과분석 및 고찰

본문내용

1. 실험목적
Photolithography의 원리 및 공정과정에 대해 이해한다. 이를 바탕으로 직접 ITO를 이용하여 Pattern을 제작해보고 평가해본다.

2. 실험기구 및 재료준비
MoW(몰리텅스텐)이 증착된 Glass, OHP 필름, Aligner, Spin Coater, IPA, Beaker, 칼, Developer, Stripper, Al etchant, Baker, 전자현미경

3. 실험원리
① Lift off 고정과 Lithography 공정 비교
- Lift off 고정
Lift-off공정이란 반도체 공정중 Etching(식각) 공정중에 일반적인 etching을 사용하지 않고 패터닝(patterning)하는 경우가 있는데, 대표적으로 이에 속하는 방법이다. film deposition 이전에 PR 패터닝을 하고 그 위에 film deposition을 한 후 PR을 제거함으로서 패턴을 형성시키는 방법을 말한다. PR을 용제(solvent)에 녹이는 과정에서 PR 위에 deposition된 필름은 제거되고 기판 위에 deposition된 필름만이 남게 되는 것이다. 이 방식은 기판위에 PR 패터닝한 후 또 다른 박막을 그 위에 코팅한다. 그리고 PR을 쉽게 제거 즉 lift-off시키면 기판위에는 PR 패턴과는 정반대의 다른 박막의 패턴이 형성된다.
- Lithography 공정
Photolithography 공정은 어떤 특정한 화학약품(Photo resist)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 얻고자 하는 pattern의 mask를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 mask의 pattern과 동일한 pattern을 형성시키는 공정이다. Photolithography 공정은 일반사진의 film에 해당하는 photo resist를 도포하는 PR 도포

참고자료

· 없음