아주대학교 논리회로실험 예비8소스

소개

아주대학교 논리회로실험 예비8 소스입니다. A+이구요. 아직 아무에게도 제공하지 않았습니다.

목차

1. 목적
2. 이론
(1) RAM이란
(2) SRAM
(3) DRAM
(4) IC 메모리(integrated circuit memory)
(5) 4x3비트 용량을 갖는 RAM의 내부회로

본문내용

1. 목적
=> 플립플롭을 이용한 반도체 memory의 논리 회로도를 알아봄으로써 기본구조와 기본적인 동작 원리를 익
히고, 이를 바탕으로 메모리의 응용인 MSI(TTL) 64-bit 기억 소자의 구조와 동작원리를 실험을 통해
직접 확인한다.

2. 이론
(1) RAM이란 : RAM은 Random Access Memory의 약자로 기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수 있는 메모리로 여러 개의 R-S F/F을 사용하여 구성한다. RAM은 전원이 꺼지면 기억된 내용은 지워지므로 휘발성 메모리(Volatile Memory)라고 부르기도 한다. 따라서 램은 컴퓨터의 주기억장치, 응용프로그램의 일시 적 로딩(loading), 데이터의 일시적 저장 등에 사용된다. RAM은 memory 안의 F/F을 제어하기 위한 여러 단의 입력을 사용함으로써 외부의 제어 상태에 따라 정보를 random하게 memory에 기록하거나 읽어낼 수 있다. 이번 실험에서 사용하는 memory들은 positive logic일 때는 데이터가 memory에 기록되고 negative logic일 때는 밖으로 읽혀진다. RAM은 크게 두 가지 메모리로 구분이 되는데, SRAM과 DRAM이 있다.
(2) SRAM : SRAM은 Static Ram의 약자로 하나의 기억소자에 4개의 트랜지스터와 2개의 저항, 또는 6개의 트랜지스터로 구성되어 있다. 이렇게 트랜지스터로 기억소자를 구성하고 있기 때문에 전원이 차단되지 않으면 기록된 데이터가 지워지지 않으며, 속도가 매우 빠르다. 하지만 회로가 복잡하여 집적도가 낮고, 값이 매우 비싼 단점이 있다. 따라서 SRAM은 빠른 속도의 CPU와 연동되는 캐시 메모리로 주로 사용된다.
(3) DRAM : DRAM은 Dynamic Ram의 약자로 하나의 기억소자에 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 구성되어 있다. 이처럼 간단한 구성의 메모리이기 때문에 높은 직접도로 메모리를 제작할 수 있고,

참고자료

· 없음