에피택시

소개

에피택시에 관한 Report.

목차

*에피택시
1.LPE
2.VPE
3.MBE

본문내용

에피택시는 그리스 문자 epi(위에)와 taxis(배열)의 합성어로서 결정구조를 갖는 물질(기판)위에 기판과 같거나 또는 다른 결정 구조를 갖는 물질을 성장시키는 기술을 뜻한다.에피탁시는 방법에 따라 크게 세 가지로 분류되는데, 액상 에피택시(liquid phase epitaxy, LPE), 기상 에피택시(vapor phase epitaxy, VPE), 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE)등이 있으며, 최근에는 서로 결합된 방법도 많이 사용된다.

1.LPE (Liquid Phase Epitaxi)

결정재료가 녹아 있는 포화용액을 기판과 접촉시켜서 결정을 성장시키는 것으로,
LPE법은 많은 반도체 결정들을 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장시킬 수 있는 기술 이다. (반도체와 제2의 원소의 혼합물은 그 반도체 자체보다 낮은 온도에서 녹기도 하기 때문에, 이러한 혼합물 용액으로부터 결정을 성장시키는 것이 유리한 경우가 있어, 이 경우에 LPE가 사용된다.)
1963년 Nelson에 의해 최초로 구현된 후, 주로 Si, GaAs, AlGaAs, GaP 에피택시에 널리 이용되고 있다.

예) GaAs의 용융점은 1238`C이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은(이 혼합물의 조성비에 따르지만) 상당히 낮은 용융점을 갖는다. 따라서 GaAs 시드 결정을 그것 자체가 용융되는 온도보다 낮은 온도에서 녹는 Ga+GaAs 용액 속에 담가둔 후, 이 용액을 용융점(melting point)으로부터 서서히 냉각시키면서 단결정의 GaAs 층을 시드 결정 위에 성장 시킨다.

참고자료

· 초고 집적 공정 기술 / 이준신외
· 반도체 공정기술 / 황호정