cvd

소개

Ⅰ. CVD(Chamical Vapor Deposition) 의 정의와 원리

Ⅱ. CVD 장치의 기본원리, 박막 증착, 분석

목차

Ⅰ. CVD(Chamical Vapor Deposition) 의 정의와 원리

1. CVD의 정의

2. CVD 성장기구

3. CVD반응의 분류

Ⅱ. CVD 장치의 기본원리, 박막 증착, 분석
1. CVD 장치
2. CVD를 이용한 증착 과정

본문내용

특히 발전된 무기합성화학 지식을 토대로 하여 다양한 금속-유기계 전구체를 제조할 수 있는 가능성 때문에 MOCVD가 최근의 연구 대상으로서 크게 주목받고 있다.

MOCVD의 장점과 단점
◎ 장점: 1)극박막을 성장시킬 수 있다.
2)균일층의 성장이 가능하다.
3)양산성이 우수하다.
4)원료를 교환함으로써 각종의 결정을 만들 수 있다.

이와 같은 장점을 가지고 있는 MOCVD법은 현재 양자적호혁레이저와 APT(Avalanche Photo Diode) 및 HEMT(고전자 다동도 트랜지스터)의 제작에 이용되고 있다.

◎ 단점: 여러 가지 금속간의 조성을 지속적으로 유지하는 것과 grain 성장과정을 제어하기가 어렵다. 또한, 적절한 precursor의 개발이 선행되어야 한다.

Ⅳ. 결론
플라즈마 PVD(PAPVD)와 플라즈마 CVD(PACVD) 기술은 각각의 고유한 장점을 살리면서 발전을 거듭하여 초경피막, 전자재료, 광학재료, 장식재료 등의 다양한 분야에서 확고한 응용성을 확립하고 있다. 환경공해 요인에 대한 규제가 갈수록 엄격해지면서 전기도금, 무전해도금, 치환도금 등에 대한 PVD 및 CVD 기술의 경쟁력은 더욱 강화될 것으로 전망된다. 앞으로 PAPVD 및 PACVD 기술의 발전은 기술의 복합화를 위한 방향으로 이루어질 것으로 예측된다. 이러한 경향은 증착재료의 발전방향과 일치하는 것이다. 즉, 폭넓은 산업 현장에서 요구하는 구체적인 용도에 맞도록 다양한 피막재료를 혼합하여 다층(Multilayer), 다성분(Multicomponent) 및 다상(Multiphase) 피막을 제조하는 기술이 요구되면서 어느 한가지 제조기술만로는 이를 수용할 수 없는 상황이 초래될 것이다. 이에 대응하기 위한 방법은 각 기술의 경계를 극복하고 단위 기술을 조합하여 복합적인 피막을 제조할 수 복합 공정을 개발하는 것이라고 하겠다.

참고자료

· 없음