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PCB 플라즈마 기술

상기 자료는 플라즈마 기술에 대한 기술자료입니다. 반도체 및 RIGID FLEXIBLE,PCB 제조 공정중 플라즈마(PLASMA)처리에 관한 리포트로서, 프라즈마의 일반적 이해와 PCB 원자재의 특징 및 구조식을 분석하여 표면개질,클리닝,플라즈마 디스미어,대기압 플라즈마,U.V 표면개질의 메카니즘과 특징을 이해하기 쉽게 주된 내용으로 하고 있으며,이와함께 신뢰성 검증 및 타공정과의 비교분석,그리고 플라즈마를 이용한 불량 개선사례를 다루고 있습니다
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최초등록일 2007.11.14 최종저작일 2006.08
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PCB 플라즈마 기술
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    소개

    상기 자료는 플라즈마 기술에 대한 기술자료입니다.
    반도체 및 RIGID FLEXIBLE,PCB 제조 공정중 플라즈마(PLASMA)처리에 관한 리포트로서, 프라즈마의 일반적 이해와 PCB 원자재의 특징 및 구조식을 분석하여 표면개질,클리닝,플라즈마 디스미어,대기압 플라즈마,U.V 표면개질의 메카니즘과 특징을 이해하기 쉽게 주된 내용으로 하고 있으며,이와함께 신뢰성 검증 및 타공정과의 비교분석,그리고 플라즈마를 이용한 불량 개선사례를 다루고 있습니다

    목차

    Ⅰ. PLASMA 표면 개질 MECHANISM[그림 첨부]
    가스분자(비활성 기체) + 시간 + 전기 E = P.I FILM의 C-N의 결합고리가 끊어짐
    Test 조건
    - Epoxy계 Bonding과 Prepreg(FR-4), C/V 적층시 100℃에서 진공 가압후,
    170 서 가압 프레스 하여 적층.
    - 플라즈마 장비 : Plasonic LD-770, Germany, 40 ㎑, Generater.
    - 플라즈마 가스 : CF4 45 sccm±5%, O2 250 sccm±5% under 20 pascal.
    - RF 파워 : 1500 Watt
    - 플라즈마 처리 시간 : 400 sec

    Ⅱ.PLASMA CLEANING MECHNAISM.[그림 및 자료 첨부]

    Ⅲ. PLASMA DESMEAR MECHNAISM.[그림 및 자료 첨부]

    Ⅳ. 대기압 PLASMA MECHNAISM.[그림 및 자료 첨부]

    Ⅴ. UV PLASMA MECHNAISM.[그림 및 자료 첨부]

    본문내용

    ■ 환경 규제 및 COST 경쟁력 대응.
    - 전세계적으로 PCB 제품에 대한 환경 보존 규제 강화.
    - PCB 제조 시 유해한 용액을 사용으로 환경 Cost 부담 증대.
    - 환경 부담금 절감& 제조 Cost Down을 위해 Plasma 공법 도입 활발.
    R/F 제조기술
    ■ Build-Up PCB 제조에 Plasma Desmear 적용.
    - 정보 통신 기술의 발전에 따라 전자 기기의 고성능화, 소형화에 따라 PCB의 미세화, 다층화 급속 발달에
    따라 Build-Up PCB 필요.
    - 향후 5년 내 세계적으로 Build-Up PCB 시장 3% →10%로 증가 예상.
    - Via Hole의 직경이 100㎛ 이하로 작아짐에 따라 기존 습식 방식으로 Smear 제거 곤란.
    - 고부가가치 PCB생산 및 가격 경쟁력 확보 차원에서 Plasma 공법 도입 필요.
    ■ PCB 공정중 Plasma 적용 가능 분야.
    1. Drill Hole 가공후 Desmear (PI, PTFE, PPE, etc) 및 도금 밀착력 향상.
    2. PCB 표면 정밀 세정 (산화막 제거), 금 또는 금속 표면 .
    3. PCB 적층 시 적층 밀착력 향상.
    4. 부품 실장 시 밀착력 증대.
    5. Chip, wire bonding, EMC molding 밀착력 향상.
    6. PSR 잔사 제거 등.

    가스분자(비활성 기체) + 시간 + 전기 E = P.I FILM의 C-N의 결합고리가 끊어짐
    Test 조건
    - Epoxy계 Bonding과 Prepreg(FR-4), C/V 적층시 100℃에서 진공 가압후,
    170 서 가압 프레스 하여 적층.
    - 플라즈마 장비 : Plasonic LD-770, Germany, 40 ㎑, Generater.
    - 플라즈마 가스 : CF4 45 sccm±5%, O2 250 sccm±5% under 20 pascal.
    - RF 파워 : 1500 Watt
    - 플라즈마 처리 시간 : 400 sec

    참고자료

    · 플라즈마 제4기 한국 [www.jesagi.co.kr]
    · 한경 대학교 화학 공학과
    · CIRCUIT FLEX [FPC 제조기술 관련 문서]
    · 주식회사 테코스 제조기술 [FPC 공정 기술 문서]
    · POLYIMIDE의 구조분석[LG화학 기술연구원 [정종모,양두경]
    · JPCA(Japan Printed Circuit Association)
    · 비활성 기체와 반응성 기체를 조합한 고분자 표면처리 방법[한국과학 기술원,특허공개 10-0308747]
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