포토리소그라피(photolithograpy)공정의 기본과 금속배선공정인 무전해, 전해도금의 기초 및 원리

소개

TFT LCD 기초 공정인 포토공정과 금속배선 공정 중 하나인 무전해 도금에 관한 레포트입니다.

목차

Abstract
Ⅰ. Photolithography
1. Photolithography의 개요
2. Photolithography 과정
2.1 웨이퍼와 웨이퍼 세척
2.2 장벽형성
2.3 감광 처리(PR : Photo Resister)
2.4 저온 건조(Soft Baking)
2.5 마스크 배열
2.6 감광제 노출과 현상
2.7 고온건조(Hard Baking)
Ⅱ. 금속 배선 기술
1. Sputtering
1.1 Sputtering의 개요
2. 무전해 도금
2.1 무전해 도금의 개요
2.2 무전해 도금의 분류
2.2.1 치환도금
2.2.2 열분해 도금
2.2.3 화학 환원도금
3. 전해 도금
3.1 전해 도금의 개요
3.2 전해 도금의 원리
4. 전해 도금 vs 무전해 도금
4.1 도금의 개요
4.2 무전해 도금과 전해 도금의 차이점 및 장∙단점
Ⅲ. 참고 문헌

본문내용

Ⅰ. Photolithography
1. Photolithography의 개요
- 집적회로를 생산하기 위해서는 확산이나 불순물 원자들의 주입 방법으로 다양한 물질 의 박막을 장벽 또는 전도체와 실리콘 기판 사이의 절연체로 사용한다. 또한 불순물 침투나 접합이 필요한 곳 어디나 이런 장벽 물질에 구멍이나 창을 뚫게 된다.
패턴 창을 가지는 마스크는 포토리소그래피라 불리는 과정을 통하여 실리콘 웨이퍼 표면에 전사된다. 포토리소그래프는 매우 개량된 사진인쇄술로써 패턴은 마스크로부터 감광제라 불리는 빛에 민감한 물질로 전사된다. 화학적 에칭이나 플라즈마 에칭은 그 때 감광제로부터 웨이퍼 표면의 장벽 물질에 패턴을 전사할 때 사용한다. 각 마스크 공정은 수많은 과정마다 정교하게 해야 한다. 그리고 직접회로의 복잡성은 제조 공정 중 사용되는 마스크 수로서 측정한다. 다음으로 포토리소그래피 과정에 대해 자세히 살펴보도록 하자.
2. Photolithography 과정
2.1 웨이퍼와 웨이퍼 세척
- 웨이퍼 세척 공정은 리소그래피를 처음하는 각 공정에서 반드시 행해야 하는 것으 로, 표면 청정화를 위한 공정이다. 표면의 불순물을 제거하고, 감광막 및 표면 간 접착도를 향상시키기 위한 열처리 및 화학약품 처리가 되어 지며, 웨이퍼 세척에는 DI water가 사용되어진다.
2.2 장벽형성
- 세척 후, 실리콘 웨이퍼에 장벽층으로 사용할 물질들을 도포한다. 가장 일반적인 물질은 실리콘 산화막(SiO)이다.
2.3 감광 처리(PR : Photo Resister)
- 웨이퍼 표면에 빛에 민감한 감광제를 도포한다. 이때는 분사된 액상 PR을 높은 회 전수로 회전시켜 균일한 얇은 막의 형태로 기판 전체에 도포 시킨다.

참고자료

· [1] Richard C. Jaeger. "Introduction to Microelectronic Fabrication(2/E)". Prentice Hall
· 2007.
· [2] 고승찬. “전해도금을 이용한 마이크로 probe 팁의 제작에 관한 연구”. 서강대학교 대학 원 학위논문. 2000
· [3] 김남일. “無電解鍍金”. 東和技術. 1996
· [4] 김수길. “반도체와 전기화학 1, 2”. 화학공학연구정보센터. 2007
· [5] 류일광. “무전해 도금에 의한 니켈-탈륨-인 합금 피막의 제조 및 특성” 조선대학교 대학원 박사학위논문. 2000
· [6] 최시영 外. “박막공학의 기초”. 서울 : 일진사. 2001
· [7] http://www.cheric.org/