기초전자회로실험 (1 2 6 7 9 10 11 12 14 15 17 18 19 23) 예비 및 결과

소개글

기초전자회로실험 (Basic electronics 대영사 / Zbar / 어갑용 외) 의 예비리포트와 결과 리프트 입니다.

실험은 1 2 6 7 9 10 11 12 14 15 17 18 19 23 이 되겠고,

이들의 예비 및 결과 리포트

결과를 대부분 PS PIECE를 활용하여 작성한 알찬 정보입니다.

학점 A+

목차

1. 접합 다이오드 특성 (예비 & 결과)
2. 제너 다이오드 특성 (예비 & 결과)
6. 반파 및 전파정류회로 (예비 & 결과)
7. 변압기를 사용한 전원 및 여파장치 (예비 & 결과)
9. 브릿지 정류기 (예비 & 결과)
10. 트랜지스터 (예비 & 결과)
11. 공통 이미터 구성에서의 전류이득 (예비 & 결과)
12. 트랜지스터 데이터와 공통 이미터 구성에 대한 컬렉터 특성 (예비 & 결과)
14. 이미터 접지 증폭기의 바이어스와 증폭도 (예비 & 결과)
15. 이미터 접지 증폭기의 임피던스, 전력 및 위상 (예비 & 결과)
17. 이미터 플로워(클렉터 접지 증폭기) (예비 & 결과)
18. 트랜지스터 증폭기의 부하선 분석 (예비 & 결과)
19. 종속접속 증폭기 (예비 & 결과)
23. 접합형 전계효과 트랜지스터와 그 특성 곡선 (예비 & 결과)

본문내용

1. 실험목적
(1) 접합 다이오드에서 전류에 대한 순방향, 역방향 바이어스의 효과를 측정한다.
(2) 접합 다이오드의 전압-전류특성을 실험적으로 측정하고 그래프를 그려본다.
(3) 옴메타로 접합 다이오드를 검사한다.


2. 기초이론
반도체
반도체는 전기적인 도체와 절연체 사이의 저항값을 가지는 고체이며, 많은 전자제품에 쓰인다. 반도체 소자들은 많은 제어 기능을 수행하며 사용분야로는 정류기, 앰프, 검파기, 발진기, 스위칭 소자 등이다.
반도체 재료와 불순물
실리콘과 사용빈도는 적지만 게르마늄이 반도체 소자를 만드는데 주로 쓰이며, 실리콘이 열에 잘 견디기에 주로 사용된다. 반도체 공정되기 전의 Ge와 Si는 도전율이 낮은 순수한 상태이다. 이러한 반도체에 특정 불순물을 투입함으로서 도전율을 증가 시킬 수 있는데, As, Sb 같은 불순물을 부전하 캐리어의 수를 증가시키기에 N형 반도체라 부르고 이때 정공들이 소수 캐리어이며 전류의 흐름은 다수 캐리어인 전자에 의한다고 여긴다. In, Ga 같은 불순물은 정전하 캐리어수를 증가시키기에 P형 반도체라 부르며, 자유전하가 소수 캐리어이며 전류의 흐름은 다수 캐리어인 정공에 의한다고 여긴다. 전류 캐리어의 움직임은 외부 전지전압 VAA를 가함으로써 제어될 수 있다.
반도체 접합 다이오드의 동작
P형과 N형 Si를 접합시켜 접합 다이오드를 만든다. 이같이 두 개의 반도체로 만들어진 소자는 한방향으로만 전류를 잘 흐르게 하는 독특한 특성을 가지며 N형에 전지의 부단자를, P형에 정단자를 연결하여 전류를 흐르게 하는 경우를 순방향 바이어스라 부른다. 전하의 이동은 N형에서 접합면을 통하여 P형으로, 전지의 정단자 방향으로 자유전자의 흐름이 큰 순방향 전류를 유지하는데 이 같은 접속의 경우에 전류가 잘 흘러 다이오드는 적은 순방향 저항을 갖게 된다.
역방향 바이어스의 경우 전지의 정단자가 자유전자를 끌어당겨 PN 접합면으로부터 멀어지게 하고 부단자는 정공을 끌어당겨 접합면으로부터 멀어지게 한다. 이와 같은 경우 자유전자와 정공의 결합은 없으며 다이오드의 다수 캐리어는 전류의 흐름에 기여치 못하며 N형의 정공 P형의 전자등 소수 캐리어에 의한 극소전류만이 흐른다.
순방향 전압-전류 특성

참고 자료

기초전자회로실험 (Basic electronics 대영사 / Zbar / 어갑용 외)

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23장/실험 23 결과.hwp
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1장/실험01 접합다이오드특성 결과.hwp
1장/실험01 접합다이오드특성 예비.hwp
2장/실험02 제너다이오드특성 결과.hwp
2장/실험02제너다이오드특성(예비).hwp
6장/실험06 반파 및 전파정류회로 결과.hwp
6장/실험06반파 및 전파정류회로(예비).hwp
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