[공학]에피택셜 성장 epitaxial growth 에피택시

소개

에피택시에 관한 파워포인트 자료 입니다. 총 19장으로 구성 되어 있습니다.

목차

1. 에피택시란 ???
2. 액상 에피택시(LED: Liquid-Phase Epitaxy)
3. 기상 에피택시(VPE : Vapor Phase Epitaxy)
4. 분자빔 에피택시(MBE: Molecular Beam Epitaxy)

본문내용

웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 단결정 막을 기르는 기술
에피택셜 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy)라 함

( 소자에의 응용을 위한 결정성장방법 중의 하나는 단결정으로 이루어진 웨이퍼 상에 얇은 박막결정을 성장시키는 것이다. 이 과정에서 기판은 그 위에 새로운 결정을 성장시키는 시드 결정(seed crystal)이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 가진다.)

에피택시의 구분
호모 에피택시(homoepitaxy): 성장되는 결정이 기판 결정과 같은 물질인 경우
헤테로 에피택시(heteroepitaxy): 결정들이 서로 유사한 격자구조를 갖지만 다른 물질인 경우

에피택시는 기판 결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행해지며, 성장막의 표면에 적절한 원자를 공급하기 위하여 다양한 방법이 사용된다.

현재 주로 사용되고 있는 방법
- 액상 에피택시(liquid phase epitaxy; LPE)
- 기상 에피택시(vapor phase epitaxy; VPE)
- 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy; MBE)

이러한 성장방법들에 의해 Si과 GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 결정들이 키워지고 있다. 특히 화합물 반도체를 이용한 전자 및 광전자 소자의 구현에 있어 에피택시 공정은 필수적인 공정이라 하겠다.

Cf) 에피택시 공정 중 MBE법은 초고진공(10-11 torr 이하) 장치 내에서 원료 물질을 증발시켜 기판에 증착시키는 물리적 증착 기술 즉, PVD 기술의 하나이다.

참고자료

· 없음