[공학기술]재료의 산화실험.

소개

실리콘 산화가 반도체 공정에서 어떻게 사용되는가?

목차

실리콘 산화가 반도체 공정에서 어떻게 사용되는가?
실리콘 산화 메카니즘

본문내용

실리콘 산화의 용도
- 불순물 도핑을 위한 MASK
산화막 두께를 충분히 두껍게 형성한 부분은 도펀트가 웨이퍼 표면에 닿는 것을
막을 수 있다.
- 소자의 분할 (LOCOS)
반도체 진공관 소자 제조
실리콘 기판(11) 상부에 전기적 절연층인 제1산화막(12)을 형성하고 상기
제1산화막(12) 상부에 에미터(4)와 콜렉터(5) 및 제1,2게이트(6A,6B) 도전층인
SOI막(13)을 형성하여 실리콘 SOI기판(11,12,13)을 형성하는 공정과, 상기
실리콘 SOI기판(11,12,13)위에 제2산화막(14)과 질화막(15)을 연속
순차적으로 형성한 후 반도체 진공관 소자의 활성영역(20)을 식각하는
공정과, 상기 에미터(4)와 콜렉터(5) 및 제1,2게이트(6A,6B)용 도전층인
SOI막(13)이 새의 부리와 같이 첨예한 실리콘 모양을 형성하기 위한
LOCOS공정과, 콜렉터 단면적을 크게하고 소자분리 영역(19)을 형성하기 위하여
건식식각 방법으로 질화막(15)과 제2산화막 및 SOI막(13)을 식각하는
공정과, 제3게이트(7)와 에미터(4)와 콜렉터(5) 및 제1,2 게이트(6A,6B)의
전극을 형성하는 공정과, 에미터(4)와 콜렉터(5)와 제 1,2
게이트(6A,6B)사이를 빈 공간으로 하기 위하여 화학적 식각법으로 제거하는
공정을 거친 제조방법으로 수평형 반도체 진공관 소자를 제조하여
에미터에서의 전계효율이 증가되므로 전기적 특성이 향상되고, SOI반도체
기판을 사용함으로 대량생산 및 집적회로 제작이 용이한 장점을 가지고 있음
- gate oxide

참고자료

· *Reference
· http://www.kps.or.kr/~pht/10-4/010444.htm