SECONDARY EFFECTs in a submicron device and suggest alternative equations to cover these effects.

소개

전자회로 submicron device 에 있어서의 SECONDARY EFFECTs 를 고려하고, 그
대안을 찾아본다.

목차

(1) What is the SECONDARY EFFECT
(2) Channel Length Modulation
(3) Punch Through
(4) Velocity Saturation
(5) Body Effect
(6) Mobility Degradation
(7) Subthreshold Conduction
(8) Drain Induced Barrier Lowering (DIBL)
(9) Hot Carrier Effects
(10) Band-to-Band Tunneling

본문내용

Q> Over the several decades, we have observed a spectacular increase in
integration density and computational complexity in integrated circuits. With this
revolution, feature sizes of the MOS device have been scaled down. Because of the secondary effects of a submicron device, the following equations we studied in the class can`t express the whole current behaviors any more. Discuss about some secondary effects in a submicron device and suggest alternative equations to cover these effects.
대부분의 전자, 전기 분야에서 최근 몇 십년간의 기술 발전은 크기는 minimize, 성능은 maximize 하는 경향을 보여왔다. 반도체 분야도 이와 크게 다르지 않아서, 얼마만큼의 작은 크기의 소자에서 얼마만큼의 강력한 기능을 발휘할 수 있게 하느냐가 반도체 기술의 핵심능력으로 인정받고 있다. 위의 표에서 반도체 기술의 발전에 의해 소자의 parameter들이 어느 정도로 변화해 왔는지를 살펴볼 수 있는데, 크기가 비약적으로 줄어든 것을 쉽게 확인할 수 있다. 이렇게 줄어든 소자의 크기는 반도체 내부의 전자들의 눈으로 보았을 때, 전에 없던 추가적인, 혹은 변형된 현상들까지도 수반하게 된다. 이렇게 소자의 크기가 줄어들면서 나타난 영향들을 통틀어 secondary effect라고 한다.

참고자료

· Electric circuits (Nilsson, James William Addison-Wesley Pub. Co, 1990)
· Micro Electronic Circuits (Adel S.Sedra - Kenneth C. Smith, OXFORD UNIVERSITY PRESS , 2004)
· Introduction to fields and circuits (Lancaster - Gordon, OXFORD UNIVERSITY PRESS, 1992 )
· 기타 외 웹 자료..