차세대 반도체 정보기억장치

소개

운영관리 수업중 반도체

목차

1. 기술의 개요 및 산업 동향
2. 특허로 본 기술개발 동향
3. 결론

본문내용

1. 기술의 개요 및 산업 동향
가. 기술의 개요
차세대 반도체 정보기억장치는 반도체 소자를 이용하여 디지털 이진정보를 기억하는 소자 가운데서 DRAM과 플래시 메모리에 이어 새로운 반도체 정보기억소자로 떠오르고 있는 소자를 의미하는 것이다. 본 PM보고서에서는 현재 플래시 메모리의 뒤를 이을 소자로 평가받고 있는 FRAM, 대량 생산이 임박한 MRAM 및 현재 가장 급박한 개발 현황을 보이고 있는 PRAM을 분석 대상으로 삼는다.


DRAM이나 플래시 메모리가 전하(charge)를 이용하여 이진정보를 저장하는 반면 이들 소자들은 분극현상(FRAM), 강자성체의 자화상태에 따른 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 박막의 저항 변화(MRAM), 상변화(相變化)로 인한 저항변화(PRAM) 등을 이용하여 이진정보를 구분하는 특징을 가지고 있어 비 전하중심 소자로 불리고 있다.


이들 차세대 반도체 정보기억장치인 FRAM, MRAM, PRAM 등은 (그림 1)에서 보이는 바와 같이 DRAM이 가지는 고집적 특성과 플래시 메모리가 가지는 비휘발성 특성을 고루 갖고 있어 휘발성이나 비휘발성 메모리를 가리지 않고 대체할 만한 가능성이 있는 소자들이다.



나. 산업 동향
(1) 반도체 메모리의 국내시장 동향
국내의 반도체 메모리 시장은 (그림 2)에서 보듯이 DRAM의 전통적 강세 속에 MP3, 디지털 카메라, 카메라폰 등의 판매호조에 힘입어 플래시 메모리의 급성장이 예측된다.


대부분의 메모리 카드에서는 정보의 비휘발성이 유지되어야 하므로 플래시 메모리를 사용하고 있다. 특히 디지털 카메라, MP3, 셀룰러폰과 같은 hand-held 전자기기에서는 메모리 카드 형태로 플래시 메모리가 쓰이고 있고, 이들 메모리 카드에 장착된 소자들은 DRAM과 같은 수준의 읽기/쓰기가 요구되진 않는다. 따라서 MRAM, PRAM이 상용화되기 시작하면 메모리 카드에 제일 먼저 적용되리라 예상된다.

참고자료

· 없음