[공학]P-i-N Photodiode( Optical Detectors )

소개

Optical Detectors (광 수광소자)
수광 소자의 원리 , 응용분야. 등등
영어 PPT 이고. 발표 내용은 한글로 슬라이드 노트에 입력 했습니다.

목차

1. Introduction of Photodiode

2. Basic Structure of P-i-N diode

3. Principle of P-i-N diode

4. Fabrication of P-i-N diode

5. Application

본문내용

Photodiode ?
Photodiodes convert light directly to electric current. An ideal (p-i-n) diode can convert one photon to one electron of current. (Surprisingly, real devices get very close to this ideal.)
-->설명
먼저 Photodiode란 빛을 전기적인 전류로 직접적으로 변환할 수 있는 소자이며, 이상적인 상태의 P-i-N diode 는 빛으로 부터 나온 하나의 Photon은 하나의 electron을 형성합니다. 다시 말해 이는 양자효율을 말하는 것이며 Photodiode의 특성을 분석할 때 사용되는 파라미터 입니다.
다음은 가장 기본적인 PN접합의 구조를 나타낸 그림으로 소자에 도착한 빛은 p-layer를 지나 n-layer 영역으로 지나가게 됩니다.
이때 소자에 역 바이어스를 걸어주게 되면 p영역과 n영역 사이에는 공핍층이 형성되며 빛은 이 공핍층에서 흡수 되어집니다. 그러나
이 공핍 영역은 일반적인 PN다이오드 에서는 매우 앏기 때문에 이를 해결하기 위한 P-i-N diode가 그 해결책으로 제시 되었습니다.

참고자료

· 없음