[전자공학]bjt bias- 전자회로

최초 등록일
2006.06.04
최종 저작일
2006.06
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소개글

bjt bias- 전자회로 실험 예비
이론
베이스 바이어스
이미터 바이어스
예상결과
피스파이스

목차

§ 이론요약
(1) Base Bias
(2) 에미터 바이어스 회로

§ 예상결과
(1) Base Bias
(2) Emitter Bias

본문내용

§ 이론요약
(1) Base Bias
1. 목적
베이스 바이어스 된 트랜지스터 회로의 직류 특성을 조사한다.
2. 관련 이론
1) 에미터 저항이 없는 경우
베이스 바이어스 회로는 간단하며 하나의 전원이 사용되는 장점을 갖고 있다. 그러나 이 바이어스 회로는 베이스 전류가 고정되어 있어서 콜렉터 전류와 회로 내 전압강하가 트랜지스터의 β값에 너무 의존되는 점이 단점이다.
따라서, 만일 온도의 변화나 다른 β값을 갖는 트랜지스터로 대치되어질 때 회로 내의 전압강하는 변화하게 된다.베이스 바이어스의 기본형태는 그림7-1과 같으며 β값과 회로소자가 알려지면 해석되어질 수 있다.
2) 에미터 저항을 갖는 베이스 바이어스 회로
베이스 바이어스 회로는 온도의 변화에 따라서 베이스-에미터 접합의 전압과 트랜지스터의 β값이 변화하므로 직류 안정도가 나쁘다. 베이스 바이어스 회로의 β값은 IC에 비례하므로 IC가 증가하면 회로내에서의 전압강하가 변화하게 된다. 만일 에미터 저항이 회로 내에 접속되어지면 IC가 증가함에
따라서 IE가 증가하여 에미터 저항 양단의 전압강하가 증가되므로 VRB가 감소하여 IB가 감소하게 되어 안정도를 개선하여 준다.
(2) 에미터 바이어스 회로
1. 목적
2전원 바이어스 회로인 에미터 바이어스 회로의 직류 특성을 조사한다.
2. 관련 이론
에미터 바이어스 회로를 사용하는 주된 이점은 트랜지스터의 β값이 회로의 직류 전압에 아주 작은 영향을 준다는 점이다. 이 회로는 2개의 바이어스 전원을 사용하고 있는데 그림 8-1에서 보는 바와 같이 VEE의
전압은 RE, RB 및 VBE로 분배되어진다.
그러나 VBE≒0.6V이고 VRB는 거의 1V 이하이므로 대부분의 전압은 에미터 저항 RE 양단에 나타나게 되므로 IE=VRE/RE이고 β는 단지 IB에만 영향을 주며 β값이 변화하면 VRB=IBRB가 변화한다.
그림 8-1은 NPN, PNP의 경우 바이어스 전원을 나타내었다. 잘 설계된 에미터 바이어스 회로에서 β값을 100으로 하여 계산하여도 큰 지장은 없다. 실제로 β값을 100으로 하여 사용함으로서 생기는 오차는 저항 RB값의 부정확으로 인한 오차보다 작다.

참고 자료

없음

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