[공학]화학적 기상 증착(CVD) 방법을 통한 Co 박막 형성 및 증착 온도에 따른 Co 성장률 거동 분석

소개

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목차

1. 실험목적

2. 이론적 배경

(1) CVD

(2) 비저항

3. 실험방법

4. 실험 결과 및 고찰

5. 참고문헌

본문내용

CVD
- CVD증착법은 화학적 기상증착방법(Chemical Vapor Deposition)을 나타낸다.
CVD과정은 금속, 금속간화합물, 붕소화합물, 규소화합물 탄화물, 질화물, 산화 물, 황화물 등의 박막 증착에 이용된다. CVD의 기본 원리는 증착하고자 하는 물질을 함유하는 반응가스를 반응조에 도입하여 가열된 기판 표면에서 열분해를 일으키도록 함으로써 원하는 물질을 증착하는 것이다.

① CVD의 종류
- CVD는 가스상의 화합물을 기판 위에 퇴적시키고, 기상 또는 기판표면 상에서
분해, 산화 등의 화학반응에 의해 박막을 형성하는 기술이며, 이러한 화학반 응을 일으키기 위해서는 에너지가 필요한데, 가해 주는 에너지원에 따라 아래 와 같이 분류할 수 있다.
㉠ 열 CVD
- 기판을 가열함으로써 반응물의 퇴적에 의한 박막형성을 얻으며, 대기압하에서
반응시킨 상압 CVD와 대량생산성 및 적용범위를 향상시키기 위해 감압하에서
막형성을 행한 감압 CVD로 대별한다.
㉡ 플라즈마 CVD
- RF글로우 방전하에서 전기에너지에 의해 반응을 촉진시켜 박막형성을 하는데,
이 과정에서는 열을 필요로 하지 않으므로 저온화가 가능하다.

(2) 비저항
- 고유저항 또는 저항률이라고도 하며, 기호는 일반적으로 ρ 또는 (μΩ-㎝)로 나타낸다. 단면적 S, 길이 l인 저항 R은 R=(l/S)ρ로 된다. ρ는 전기전도율을 σ라 하면 ρ=1/σ로 된다. 즉, 비저항은 전기전도율의 역수라 할 수 있다. 비 저항은 물질의 특성으로 물질의 전류를 흘릴 수 있는 능력을 비교할 때 유용하다.

참고자료

· 없음