[반도체]최신반도체기술 & 웨이퍼생산

소개

반도체의 기술들과 웨이퍼의 제작과정등 생산하기까지의 요점을 정리해놓았습니다.

목차

최신 반도체 기술
‣ 구리 배선 기술(Copper Interconnection)
‣ 반도체에서 저유전체 기술(Low-k Dielectrics) 이란
‣ 차세대 메모리 F램과 M램이란
‣ 갈륨-비소 화합물 반도체 (GaAs Compound Semiconductor)
‣ 실리콘-게르마늄 반도체 (SiGe Semiconductor) 란
‣ 탄소 나노 튜브 테라급 반도체(Carbon Nano-Tube Semiconductor) 란
‣ 웨이퍼 접합 기술(Wafer Bonding Technique) 란
‣ 반도체에서 이온주입(Ion Implantation) 이란
‣ 반도체에서 원자층 증착 기술(ALD: Atomic Layer Deposition)
‣ 게이트 산화막 기술 (Gate Oxide Formation)
‣ 실리콘 이중막 기술(SOI: Silicon on Insulator)란
‣ 반도체에서 이중게이트 트랜지스터(Double Gate FET) 란

웨이퍼 생산
‣ 반도체 웨이퍼 제작 공정
‣ 반도체 웨이퍼 제작에서 실리콘 정제(Purification of Silicon) 란
‣ 반도체웨이퍼 제작에 있어 초크랄스키 방법이란
‣ 반도체 웨이퍼 제작에서 부유 대역 방법(Floating Zone Method) 란
‣ 반도체 웨이퍼 제작에서 CMP(Chemical Mechanical Planarization) 란

본문내용

‣ 구리 배선 기술(Copper Interconnection)
- 반도체 금석 배선에 있어 기존의 알루미늄(Al) 배선 물질보다 낮은 전기 저항 및 보다 좋은 전자 이주 특성을 가 진 구리를 이용하여 금속 연결선을 만드는 것.
- 기존 알루미늄에 비교해 구리가 갖는 장점
① 전기 전도도가 탁월하여 저항이 작아 고속화, 고집적화의 실현이 가능하고, 신호 전달시 왜곡이 거의 없어 안정적이다.
② 사용하는 금속층이 감소하여 생산 코스트를 절감할 수 있다.
③ 구리는 전해도금 특성이 우수하여 디바이스의 신뢰도를 높일 수 있다.
④ 구리는 동일하게 설계한 알루미늄 기반 디바이스에 비해 수율을 높일 수 있다.
⑤ 알루미늄 합금을 사용하는 경우 부족한 전기 전도성을 보완하기 위해 부가되었던 물질이나 부품들을 제거할 수 있어 제조공정과 부품수를 줄이고 유해환경 물질의 배출도 감소시킬 수 있다.
- 구리 배선 공정: 건식식각에 어려움이 따르므로 상감공정(damascene process)이란 새로운 형태의 패턴형성 방법을 사용한다. 상감이란 절연막 내부로 배선라인 트렌치 및 비어 등을 먼저 식각한 후 배선물질인 구리를 채우는 방식이다.

‣ 반도체에서 저유전체 기술(Low-k Dielectrics) 이란

참고자료

· 없음