전자회로 설계 및 실험2 결과 레포트_24장

소개

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목차

1. 제목
2. 실험 결과 및 분석
3. 컴퓨터 시뮬레이션

본문내용

제목: 제24장 전류원과 전류 미러 회로
실험 결과 및 분석
2.1
JFET 전류원
(a)

<그림 24-1> <R_L = 51Ω에서 측정된 V_DS>
위 그림 24-1처럼 회로를 설계하고 R_L = 51Ω으로 두었을 때 측정된 V_DS = 9.14V이라는 것을 확인을 할 수가 있었다.

(b)
I_(R_L )에 흐르는 전류는 옴의 법칙에 의해 V_DD = 10V에서 다음과 같은 공식으로 계산이 될 수가 있다. 이때 측정된 저항 R_L은 50.8Ω이다.

I_(R_L ) = (V_DD - V_DS)/R_L = (10-9.14)/50.8 x 1000 = 16.93mA

(c)

<R_L = 20Ω에서 측정된 V_DS> <R_L = 75Ω에서 측정된 V_DS>

<R_L = 100Ω에서 측정된 V_DS> <R_L = 150Ω에서 측정된 V_DS>
위 1(a), 1(b) 과정에서 수행한 결과를 똑같은 방법으로 저항 R_L = 20Ω, 75Ω, 100Ω, 150Ω에서 측정된 V_DS는 각각 위 사진과 같이 9.61V, 8.71V, 8.31V, 7.57V라는 결과를 얻을 수가 있었다. 이때 J1113 JFET의 V_P 절대값은 1.5V이며 triode와 saturation 기준이 된다. 이를 통해 이 측정값들은 모두 saturation 영역에 있음을 알 수가 있다.
그리고 저항 R_L = 20Ω, 75Ω, 100Ω, 150Ω의 실제 측정값은 각각 23Ω, 76.4Ω, 100.3Ω, 145Ω이라는 결과를 얻었다. 마찬가지 방식으로 I_(R_L )을 계산하면 다음과 같다.

R_L = 20Ω: I_(R_L ) = (V_DD - V_DS)/R_L = (10-9.61)/23 x 1000 = 16.96mA
R_L = 75Ω: I_(R_L ) = (V_DD - V_DS)/R_L = (10-8.71)/76.4 x 1000 = 16.89mA
R_L = 100Ω: I_(R_L ) = (V_DD - V_DS)/R_L = (10-8.31)/100.3 x 1000 = 16.85mA
R_L = 150Ω: I_(R_L ) = (V_DD - V_DS)/R_L = (10-7.57)/145 x 1000 = 16.76mA

그리고 해당 R_L에 대한 V_DS과 I_(R_L )을 표와 그래프로 나타내면 다음과 같은 값이 나온다.

참고자료

· 없음