나노고분자 기말대비(전범위) 총정리 자료. 진짜 이것만 봐도 무조건 A+ 보장 (3개년 족보 분석)

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본문내용

①
포토레지스트(photoresist)에 필요한 성질 3가지.

포토레지스트는 빛을 받았을 때 화학적 구조가 변화하는 감광성 고분자 물질(수지)이다. 빛에 노출되었을 때 노광되는 부분과 그렇지 않은 부분의 화학적 구조의 상이에 따라 현상액(developer)에 의한 용해도 차이가 발생하여 웨이퍼 상에 패턴을 형성하게 하는 물질을 일컫는다. 정확한 미세 패턴의 형성을 위해서는 포토레지스트가 기판에 잘 달라붙는 ‘기판에의 접착성’을 가져야 하며, 기판만 에칭되고 포토레지스트는 저항력을 가져야 하므로 ‘에칭 저항성’을 갖는다. 또한 기판 위 골고루 잘 코팅되기 위해 ‘적당한 점도 및 균일 코팅성’을 가져야 한다.

②
Photoresist를 구성하고 있는 4가지 요소의 역할.

Photoresist의 4가지 기본 구성 요소와 역할>
Photoresist는 일반적으로 polymer, solvent, sensitizers, other additives의 네 가지 요소로 구성된다.첫째, Polymer(수지)는 포토레지스트의 골격을 이루는 성분이다. 노광 및 현상 후 남는 패턴의 기계적 안정성과 형상을 결정한다.둘째, Solvent(용매)는 수지를 용해시켜 포토레지스트를 액상으로 만든다. 도포성을 향상시키며 점도와 막 두께를 조절하는 역할을 한다. 셋째, Sensitizers(감광성분)는 빛에 반응하여 화학적 변화를 일으킨다. 노광 후 현상액에 대한 용해도를 증가 또는 감소시킨다. 대표적으로 PAC 또는 PAG가 사용된다. 넷째, Other additives는 공정 특성을 개선하기 위해 첨가된다. 접착력 향상, 균일도 개선, 안정성 조절 등의 역할을 한다.

③
Positive photoresist와 Negative photoresist 비교.

Positive photoresist는 노광된 영역이 현상액에 의해 용해된다. 노광되지 않은 부분이 남아 포토마스크와 동일한 패턴이 형성된다. 해상도가 높고 edge가 선명하다.

참고자료

· 없음