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[신소재공학실험] 반도체실험_Final Report

"[신소재공학실험] 반도체실험_Final Report"에 대한 내용입니다.
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최초등록일 2025.02.03 최종저작일 2019.08
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[신소재공학실험] 반도체실험_Final Report
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    소개

    "[신소재공학실험] 반도체실험_Final Report"에 대한 내용입니다.

    목차

    Experiment 1: Lithography
    1. Lithography
    2. Deposition

    Experiment 2: Electrical Property
    1. TLM Measurement
    2. 4-probe measurement

    Experiment 3: Optical Property
    1. Absorption Spectra
    2. PL(Photoluminescence)

    Reference

    본문내용

    (1) Briefly describe the principle and experimental methods of photo-lithography.
    Photo-lithography란 설계된 도면에 맞추어 제작한 mask에 빛을 조사하여 pattern을 형성하는 공정기술이다. 일반적으로 photoresist를 도포한 후 spin coating, soft backing, exposure(using mask), development and hard baking, removal 순서로 진행된다.
    먼저 wafer 상의 이물질을 아세톤, IPA, DI water로 세척한 후 질소 건을 이용하여 남은 물기를 제거해준다. 이후 photoresist를 spin coating을 통해 기판의 표면에 고르게 분포시킨다. 이후 1분간의 soft backing을 거쳐 solvent concentration을 최소화한다. 그리고 행해지는 가장 중요한 과정이 바로 wafer에 패턴을 새기는 “mask alignment and exposure”이다. 우선 wafer를 mask 아래에 원하는 방향으로 위치시키고 aligner를 이용하여 x, y, z 축을 조절한다. 그리고 exposed area에 radiate한다. Development process는 특정 부위의 photoresist를 제거하는 작업으로 염기성 용액이 주로 사용된다. 사용하는 photoresist의 종류에 따라 developer에 의해 제거되는 부분이 다르며, development 시간으로 해당 패턴을 조절할 수 있다. 일반적으로 positive photoresist의 경우에는 exposed area가 제거되며, negative photoresist 경우에는 unexposed area가 제거된다. 이후 hard baking으로 남은 photoresist를 solidify 시킨다. 마지막으로 아세톤, IPA, DI water을 이용하여 세척하면 원하는 pattern이 형성된 wafer가 얻어진다.

    참고자료

    · Gary S. May and Costas J. Spanos(2006), Fundamentals of Semiconductor Manufacturing and Process Control, John Wiley & Sons
    · MicroChemicals GmbH, LIFT-OFF Basics of Microstructuring
    · Norm Hardy, What is Thin Film Deposition By Thermal Evaporation(2013), Semicore Equipment, Inc.
    · Ben G. Streetman and Sanjay Kumar Benergee(2015), Solid state Electronic Devices 6th, PEARSON
    · Donal A. Neamen(2003), Semiconductor physics and devices 3rd edition, Mc GRaw Hill
    · Wikipedia, Stokes’ shift
    · MicroChemicals GmbH, Lift-off Processes with Photoresists(2009)
    · Steven H. Simon, The Oxford Solid State Basics, OXFORD
    · Prof. Jong Kyu Kim, Course Outline/Lab Manual : Optical & Electrical Properties of Semiconductors(2018)
    · Chang-Mo Kang, Monolithic integration of AlGaInP-based red and InGaN-based green LEDs via adhesive bonding for multicolor emission(2017), Scientific reports
  • AI와 토픽 톺아보기

    • 1. 포토리소그래피(Photolithography)
      포토리소그래피는 반도체 제조의 핵심 공정으로서 미세한 패턴을 형성하는 데 필수적입니다. 이 기술은 광원의 파장에 의해 해상도가 제한되므로, 더 미세한 구조를 만들기 위해서는 극자외선(EUV) 리소그래피와 같은 차세대 기술의 개발이 중요합니다. 현재 나노미터 수준의 정밀도를 달성하고 있으며, 이는 반도체 산업의 지속적인 발전을 가능하게 합니다. 다만 공정의 복잡성 증가와 비용 상승이 과제이며, 이를 해결하기 위한 혁신적인 접근이 필요합니다.
    • 2. 박막 증착(Thin Film Deposition)
      박막 증착 기술은 반도체, 태양전지, 디스플레이 등 다양한 분야에서 핵심적인 역할을 합니다. 화학기상증착(CVD), 물리기상증착(PVD), 원자층증착(ALD) 등 여러 방법이 있으며, 각각의 장단점이 있습니다. 특히 ALD는 원자 수준의 정밀한 제어가 가능하여 미래 기술에 매우 유망합니다. 박막의 품질, 균일성, 결정성 제어는 최종 소자의 성능을 크게 좌우하므로, 공정 최적화와 모니터링 기술의 발전이 지속적으로 필요합니다.
    • 3. TLM 측정(Transmission Line Measurement)
      TLM 측정은 반도체 접촉 저항을 정확하게 평가하는 표준적인 방법으로, 소자의 전기적 성능 분석에 매우 중요합니다. 이 기법은 접촉 저항과 시트 저항을 분리하여 측정할 수 있어 공정 개선에 직접적인 피드백을 제공합니다. 다만 측정 정확도는 패턴 설계, 측정 장비의 정밀도, 온도 등 여러 요인에 영향을 받습니다. 나노스케일 소자에서의 적용 시 신뢰성 확보가 과제이며, 더욱 정교한 측정 방법론의 개발이 요구됩니다.
    • 4. 4점 프로브 측정(4-Point Probe Measurement)
      4점 프로브 측정은 재료의 전기 전도도를 비파괴적으로 측정하는 가장 신뢰할 수 있는 방법입니다. 접촉 저항의 영향을 최소화하여 정확한 시트 저항 값을 얻을 수 있으며, 박막의 품질 평가에 필수적입니다. 이 기술은 간단하면서도 효과적이어서 산업 현장에서 광범위하게 사용됩니다. 다만 미세한 구조나 불균일한 시료에서의 측정 해석에는 주의가 필요하며, 온도 의존성과 측정 조건의 표준화가 중요한 이슈입니다.
    • 5. 흡수 스펙트럼 분석(Absorption Spectra)
      흡수 스펙트럼 분석은 재료의 광학적 특성과 에너지 밴드갭을 파악하는 중요한 도구입니다. 자외선부터 적외선 영역까지 광범위한 파장에서 측정 가능하며, 재료의 구성, 결정성, 결함 등에 대한 정보를 제공합니다. 특히 태양전지, LED, 광검출기 등의 개발에서 필수적인 분석 방법입니다. 다만 측정 결과의 해석에는 이론적 배경이 필요하며, 시료의 두께, 표면 상태 등이 측정값에 영향을 미치므로 신중한 실험 설계가 필요합니다.
    • 6. 광루미네선스(Photoluminescence)
      광루미네선스는 재료의 광학적 품질과 결함 특성을 평가하는 매우 민감한 분석 기법입니다. 발광 강도, 파장, 수명 등의 정보로부터 캐리어 재결합 메커니즘과 결함 준위에 대한 통찰을 얻을 수 있습니다. 반도체, 양자점, 형광체 등 다양한 재료 연구에 광범위하게 적용됩니다. 온도 의존성 측정을 통해 활성화 에너지를 구할 수 있어 물리적 이해를 깊게 할 수 있습니다. 다만 측정 조건에 따라 결과가 크게 달라질 수 있으므로 표준화된 측정 프로토콜이 중요합니다.
    • 7. 반도체 도핑 특성
      반도체 도핑은 전기적 성능을 제어하는 가장 기본적이고 중요한 기술입니다. 도펀트의 종류, 농도, 분포는 소자의 전도도, 이동도, 누설 전류 등을 결정합니다. 현대 반도체 공정에서는 나노미터 수준의 정밀한 도핑 제어가 요구되며, 이온 주입, 확산, 활성화 등 각 단계의 최적화가 필수적입니다. 도핑 프로파일의 정확한 측정과 제어는 고성능 소자 개발의 핵심이며, 새로운 도펀트 재료와 도핑 기술의 개발이 지속적으로 진행되고 있습니다.
    • 8. 결함 준위와 재결합(Defect Levels and Recombination)
      결함 준위와 재결합 메커니즘은 반도체 소자의 성능을 크게 좌우하는 중요한 요소입니다. 결함은 캐리어 재결합 센터로 작용하여 소자의 효율을 감소시키고, 누설 전류를 증가시킵니다. 따라서 결함의 종류, 위치, 밀도를 정확히 파악하고 제어하는 것이 고효율 소자 개발의 핵심입니다. 광루미네선스, 깊은 준위 과도 분광법(DLTS) 등의 기법으로 결함을 분석할 수 있습니다. 결함 저감을 위한 공정 개선과 패시베이션 기술의 발전이 지속적으로 필요합니다.
  • 자료후기

      Ai 리뷰
      본 실험 보고서는 리소그래피, 전기적 특성 측정, 광학적 특성 측정 등 다양한 실험 결과를 체계적으로 정리하고 분석하여 반도체 물질의 특성을 종합적으로 평가하고 있습니다.
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