전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)

소개

"전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)"에 대한 내용입니다.

목차

1. 회로의 이론적 해석
2. 실험 절차 및 결과
3. 고찰 사항
4. 결론적 고찰

본문내용

1 회로의 이론적 해석

NMOS의 전류-전압
특성 회로(실험회로 1)

NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다.

동작 원리:
- 입력 신호 V_sig는 R_sig를 통해 NMOS 트랜지스터의 게이트로 전달된다.
- 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다.
- 이 전류 I_D는 드레인 저항 R_D에서 전압 강하를 일으키고, 그 결과 출력 전압 V_o가 형성된다.
- 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다.

PMOS의 전류-전압
특성 회로(실험회로 2)

PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다.

동작 원리:
- 입력 신호 V_sig는 R_sig를 통해 PMOS 트랜지스터의 게이트로 전달된다.
- 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 음수일 때, 즉 V_GS가 –V_th보다 낮으면 트랜지스터가 켜져서 소스에서 드레인으로 전류가 흐르게 된다.
- 드레인 전류 I_D는 드레인 저항 R_D에서 전압 강하를 일으키며, 그 결과 출력 전압 V_o가 형성된다.

2 실험 절차 및 결과
NMOS

실험절차 1
1. 실험회로 1([그림 9-13])에서 를 10k로 고정하고, 는 12V로 고정한 상태에서 에 6V의 DC 전압을 인가하고, 전압이 6V가 되는 를 구해서 [표 9-2]에 기록하시오. 예비 보고 사항에서 PSpice를 이용해서 구한 값 부근에서 값을 변화시키면서 찾으면 효율적으로 찾을 수 있다. 또한, 를 측정하여 [표 9-2]에 기록하시오.
실험절차 1 PSpice = 10

참고자료

· 없음