숭실대학교 신소재골학실험2 Deposition 공정 및 소자 제작 평가 결과보고서

목차

1. 실험 제목
2. 실험 날짜
3. 실험 목적
4. 시약 및 기기
5. 실험 방법
6. 실험 결과
7. 결론 및 고찰

본문내용

1. 실험 제목
Deposition 공정 및 소자 제작 평가

2. 실험 날짜
23.11.23

3. 실험 목적
∙ MIS, MIM 커패시터 소자에 대한 이해
∙ Evaporator와 Shadow mask를 활용한 상부 전극 증착
∙ Probe station의 구성과 전극 면적 측정
∙ C-V 개형 변수

4. 시약 및 기기
- Thermal Evaporator, Shadow Mask, Probe station, C-V 계측기

5. 실험 방법
① Silicon wafer를 Polyimide tape를 활용하여 1 cm x 1 cm 층 샘플을 섀도우 마스크에 붙인다.
② Evaporator를 통해 원하는 두께의 상부 전극을 증착한다. [p++-Si, p-Si]
③ 상부 전극이 올라간 시편을 C-V 계측기를 통하여 전기적 특성을 확인한다.

7. 결론 및 고찰
MIM, MIS 소자의 C-V 전기적 특성 차이 비교 (그래프 개형, 예상과 차이 등)
이번 실험에서 p-Si 박막이 MIS 구조로 사용되었고, p++-Si 박막이 MIM 구조로 사용되었다. 이는 p-Si는 양공의 농도가 낮은 상태이기 때문에 Semi-conductor, 반면 p++-Si는 양공의 농도가 높은 상태이기 때문에 전기적으로 효율적인 접촉을 형성하는 Metal 역할을 하기 때문이다.

참고자료

· 없음