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ppt_반도체, Dry Etching

"ppt_반도체, Dry Etching"에 대한 내용입니다.
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최초등록일 2024.07.29 최종저작일 2024.07
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ppt_반도체, Dry Etching
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    소개

    "ppt_반도체, Dry Etching"에 대한 내용입니다.

    목차

    • 극저온 etching: Cryogenic etch

    • Pulsed plasma

    • ALE: Atomic Layer Etching

    • Etching 동향

    본문내용

    • 플라즈마 식각의 정의 : 고에너지 상태의 가스를 이용하여 반도체 회로의 패턴을 구현하는 건식식각 기술
    • 플라즈마 식각의 특징 :
    이방성 및 등방성 식각을 동시에 가능하게 함
    고종횡비 회로 구현 및 미세한 패턴 조각에 필수적임

    플라즈마 식각은 고에너지 상태의 가스를 이용해 반도체 회로 패턴을 만들어내는 건식식각 기술입니다.
    주로 전자, 양이온, 라디칼로 구성된 플라즈마는 고도로 정밀한 초미세 회로 패턴을 구현하는 핵심 역할을 합니다.
    이방성 및 등방성 식각을 동시에 가능하게 하며, 높은 종횡비를 가진 회로 구현에 필수적인 기술로 자리잡고 있습니다.
    이때 종횡비란 종축 대비 횡축의 길이(높이/밑변의 길이)의 비율을 뜻합니다.

    참고자료

    · 없음
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    이 문서는 드라이 식각 기술의 개요, 특징, 프로세스, 그리고 최신 기술 동향을 상세히 설명하고 있습니다.
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