[A+]전자회로설계실습 실습 4 결과보고서

목차

1.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정
1.2 VG 가변에 따른 특성 곡선 측정

2. 결론

본문내용

4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정

(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, 게이트 전압 인가를 위해 와이어 대신 저항을 사용할 경우 100Ω을 사용해도 된다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 VG=0V, VD=5V로 조정 후 Output OFF 후에 연결한다.

(그림 1) (그림 2)

- (그림 1)은 실험 중에 제작한 회로의 PSPICE 모델이고, (그림 2)는 실험 중에 실제로 제작한 회로의 모습이다.         로 설정하였고 PSPICE 상에서         이 되도록 설계하였다.

(B) VG를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 VD를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이 되면 측정을 중지한다. (낮은 전압부터 올리면서 측정한다.)

참고자료

· 없음