[경희대 A+] 실험 3. 직렬 및 병렬 다이오드 구조 예비결과보고서

소개

전자공학과 전공필수 과목인 '전자회로실험'에서 진행한 실험데이터 및 예비/결과보고서입니다.

해당 실험과목은 '전자회로'과목을 기반으로 다양한 전자회로들을 Pspice 프로그램으로 설계 및 시뮬레이션하는 필수과목입니다.

배경이론 및 실험진행과정, 결과사진 등 알차게 작성하였으므로, 해당과목 및 유사한 과목을 수강하시는 분들에게 큰 도움이 되리라 생각합니다.

목차

(예비보고서)
1. 실험제목

2. 실험목적

3. 실험이론

4. Pspice 시뮬레이션 결과

(결과보고서)
1. 실험제목

2. 실험목적

3. 실험결과

4. 결과분석 및 고찰

5. 결론

본문내용

1. 실험 제목
: 직렬 및 병렬 다이오드 구조

2. 실험 목적
: 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고 측정합니다.

3. 실험 이론
A. 다이오드

P형, N형 반도체를 접합하고 금속단자를 양쪽에 부착하면 전기적으로 2극을 갖는 반도체가 됩니다. 이것을 다이오드라 합니다. P측을 애노드라고 하고, N측을 캐소드라고 합니다. 오른쪽 그림은 기본적인 다이오드의 모양과 기호를 보여준다. P형 반도체와 N형 반도체를 접합하면 접합부에 좁은 영역에서 자유전자와 정공이 결합하여 중화됩니다. 따라서 자유전자와 정공의 수가 줄어들게 되어 절연영역이 형성되게 됩니다. 이렇게 되면 접합경계층 주위로 자유전자와 정공의 확산에 의한 공핍층이 형성되게 된다. 공핍층에 형성된 이 두 고정 이온전하에 의해 전장이 형성되며, 이것은 정공과 자유전자가 더 이상 확산되는 것을 방지합니다.

작동원리
애노드에 (+)전원을, 캐소드에 (-)전원을 연결하면 순방향 전압을 인가한 것입니다.. 순방향 전압을 인가혀면 N형 내의 전자는 전원의 (-)에 의해서 반발당하고 전원의 (+) 측에서는 전자를 흡수하므로 전자는 N형 반도체에서 P형 반도체 쪽으로 이동합니다. 같은 원리로 정공은 P형에서 N형으로 이동하게 됩니다. 따라서 순방향 전압이 확산전압을 넘어서면 공핍층은 전자와 정공이 자유롭게 이동할 수 있는 지역으로 변화합니다. 따라서 전류가 흐르게 됩니다.

참고자료

· 전자회로실험