부경대학교 VLSI 과제(CMOS 인버터) 실험보고서

소개

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목차

1. 설계 과정
1) wafer 준비
2) n-well
3) active region
4) gate
5) S/D_NMOS
6) S/D_PMOS
7) annealing
8) contact
9) metallization
10) electrode
11) mask

2. 도핑농도, Junction depth
1) NMOS의 도핑농도, Junction depth
2) PMOS의 도핑농도, Junction depth

3. 입출력 파형 비교
1) DC
2) 1kHz
3) 100kHz
4) 100MHz

4. 재실험
1) p-type 농도 증가 전후 NMOS의 채널 쪽 농도 비교
2) 입출력 파형 비교
3) 결과 분석

5. 고찰

본문내용

1) wafer 준비
# Mesh gen
line x loc=0 spac=0.5
line x loc=4 spac=0.1
line x loc=7.5 spac=0.5
line x loc=11 spac=0.1
line x loc=15 spac=0.5
line x loc=19 spac=0.1
line x loc=21.25 spac=0.5
line x loc=23.5 spac=0.1
line x loc=30 spac=0.5

line y loc=0 spac=0.01
line y loc=5 spac=0.5

# p-type body
init silicon c.boron=1e17 two
struc outfile=mesh.str

2) n-well
# n-well
deposit oxide thick=0.5 div=5

## lith1(well mask)
etch oxide start x=17 y=-5
etch con x=17 y=1
etch con x=28 y=1
etch done x=28 y=-5

implant phosphor dose=1e14 energy=200 tilt=0 rot=0
diffuse time=60 temp=1000 nitro

etch oxide all

3) active region
#define active region
deposit oxide thick=0.02 div=2
deposit nitride thick=0.5 div=5

## lith2(active region mask)
etch nitride p1.x=2 left
etch nitride start x=14 y=-5
etch con x=14 y=2
etch con x=16 y=2
etch done x=16 y=-5
etch nitride p1.x=28 right

#채널stop region
implant boron dose=1e14 energy=40 tilt=0 rot=0

참고자료

· 없음