[A+][중앙대학교 전자회로설계실습] 실습4 MOSTFET 소자 특성 측정 예비보고서

소개

"[A+][중앙대학교 전자회로설계실습] 실습4 MOSTFET 소자 특성 측정"에 대한 내용입니다.

목차

1. MOSFET의 특성 parameter 계산
2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)

본문내용

3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산

(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. (사용한 data sheet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) kn을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한, Data Sheet에서 구한 kn을 이용하여 VOV=0.4V인 경우, gm의 값을 구하여라.

⇒Data Sheet를 보면 Threshold voltage V _{T`} =2.1`V(Typical value) 이고, data sheet의 값 중에서 V _{GS} =4.5V, I _{D} `=`4.5mA 일 때 V _{DS(ON)} =0.14V(Typical value)를 선택한다. 이 값들을 이용하여 k _{n}을 구하면 다음과 같다.
k _{n} = {I _{D}} over {(V _{GS} -V _{t} )V _{DS}} = {75m} over {(4.5-2.1)0.14} =223`[mA/V ^{2} ]

또한 V _{OV} =0.4V 일 때 g _{m}값은 g _{m} =k _{n} V _{OV} =223m TIMES 0.4=89.2`[mA/V ^{2} ] 이다.

3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)

(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라. (2N7000/FAI 이용 및 RD는 Short시켜 시뮬레이션 진행 이용)

참고자료

· 없음