10주차 BJT의 I-V Characteristic 결과보고서(ㅇㅎ대, A+족보)

소개

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목차

1. 실험목적
2. 실험 내용
3. 실험 결과 및 고찰
4. 참고 문헌

본문내용

실험 목적
BJT의 I-V특성을 알아본다.

실험 내용
Lab 1. BJT V_BE-I_C 특성
○1 왼쪽의 회로를 구현한다. (R값은 멀티미터로 실측값 확인)
○2 V_CC = 6V로 고정하고 VBB전압을 0~6V (전류가 급격히 변하는 구간에서 촘촘한 간격으로)로 바꾸면서 V_BE, V_CE, V_CB, I_B, I_C를측정하고표로정리
○3 ○2에서 정리한 표를 토대로 β값을 계산한다. 데이터시트에 제공된 값과 비교한다.

Lab 2. BJT V_CE-I_C 특성
○1 Lab 1의 회로를 그대로 활용한다.
○2 V_BB = 2V로 고정하고 V_CC 전압을 0 ~ 6V (전류가 급격히 변하는 구간에서 촘촘한 간격으로) 로 바꾸면서 V_BE, V_CE, V_CB, I_B, I_C를 측정하고 표로 정리한다.
○3 V_BB = 4V로 바꾸고 ○2를 반복한다.
○4 두 V_BB 조건에 대해 V_CE-I_C그래프를 대략적으로 그리고 V_A를 추출한다.

Lab 3. Resistive Divider Biasing
○1 (R1=22kΩ, R2= ~10kΩ가변저항, RC=1kΩ) 왼쪽의 회로를 구현한다. (R값은 멀티미터로 실측값 확인)
○2 V_CC = 6 V로 고정하고 가변저항을 조절하며 (전류가 급격히 변하는 구간에서 촘촘한 간격으로)R_2, V_BE, V_CE, V_CB, I_B, I_C를 측정하고 표로 정리한다.

<중 략>

그래프에서 알 수 있듯이, 〖V_BB=V〗_BE=0.4V일 때까지는 BJT에 전류가 아예 흐르지 않는 cutoff영역이다. 그리고V_BB=1V일 때 V_CB=2.74V, V_BB=2V일 때 V_CB=-1.33V이므로 Saturation Region과 Forward Active Region의 경계는 〖1<V〗_BB<2V에서 존재함을 알 수 있다.

참고자료

· B. Razavi, Fundamentals of Microelectronics, WILEY.