플래시 메모리, 프로그래머블 논리장치(PLD) ,SRAM ,DRAM , MROM , EPROM , PROM , FRAM , PRAM , MRAM , 메모리 조사 대체과제 만점 , 논문까지 참고 및 없는 내용 없음 사기적

목차

1. 플래시 메모리(flash memory)
2. 프로그래머블 논리장치(PLD)
3. SRAM(static)과 DRAM(dynamic)
4. MROM(mask)
5. Reference

본문내용

정의
: 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는(electrically erased and reprogrammed) 비휘발성 컴퓨터 기억 장치를 말하며, 플래시 메모리는 ROM의 일종으로 EEPROM으로부터 발전하였다. EEPROM과 다르게 여러 구역으로 구성된 블록 안에서 지우고 쓸 수 있는 메모리다.

역사
: 플래시 메모리는 1984년 당시 도시바에서 근무하고 있던 마스오카 후지오 박사가 발명 했으며, 캘리포니아 새너제이에서 열렸던 IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM)에서 발표를 하였다. 플래시 라는 이름은 메모리 내용이 지워지는 과정이 마치 카메라의 플래시처럼 빠르다며 플래시 메모리라는 이름이 지어졌다. 당시 인텔은 이 발명의 엄청난 잠재력을 보고 1988년 최초의 상업용 NOR 타입 플래시 메모리를 소개하였다.

동작원리
: 플래시 메모리는 비트 정보를 저장하는 셀이라 부르는 플로팅 게이트 트랜지스터(floating gate transistors)로 구성된 배열 안에 정보를 저장하며, DRAM이나 SRAM의 경우에는 1개의 cell에 1비트의 정보를 저장했다면 (Single Level Cell) 플래시 메모리는 1비트의 정보를 저장할 수도 있고, 좀 더 많은 비트의 정보를 저장할 수 도 있다 ( Multi Level Cell )
해당 그림은 플래시 메모리에서 1개 cell의 구조이며, 트랜지스터와 비슷한 구조이나 본래 게이트가 있을 자리에 floating gate라는 새로운 층이 하나가 추가 되었으며 이러한 floating gate는 중간에 떠있는(floating) Gate라고 할 수 있다. floating gate에 전자를 집어 넣어 전원 공급이 중단 되더라도 정보를 유지 할 수 있다.

Flash Memory Write & Erasing

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