[전기전자실험]다이오드&연산증폭기 실험보고서

소개글

평점 A를 받았던 전기전자실험 과목 보고서입니다.

조금이나마 도움이 되기를 바랍니다.

감사합니다.

목차

1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험 과정
4. 실험 결과
5. 고찰

본문내용

1. 실험 목적

⑴게르마늄(Germanium)과 실리콘(Silicon) 다이오드의 특성에 대하여 알아본다.
⑵제너 다이오드의 특성에 대하여 관찰하고 그 원리를 이해한다.
⑶연산증폭기(OP AMP)의 동작원리와 반전, 비반전 증폭기에 대하여 알아본다.

2. 이론

⑴접합다이오드
반도체 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류를 잘 통과시키지만 반대 방향으로는 거의 전류를 통과시키지 않는다. 이것은 순방향 저항이 낮은 반면에 역방향 저항은 매우 높기 때문이다. 모든 반도체 다이오드는 대체적으로 단방향적 특성을 가지고 있다.

그림<1> 그림<2>

그림<1>과 같이 전원을 p-n접합 다이오드의 p형 쪽에 +극을 n형 쪽에 대하여 -극을 연결할 때 순방향전압이 걸려 있다고 말한다. 이 때 다이오드를 통하여 큰 전류, 즉, 순방향 전류가 흐른다. 이는 p영역의 hole이 n영역으로, n영역의 전자가 p영역으로 활발한 흐름으로 인해 p영역에서 n영역으로 큰 전류가 흐르게 된다.

그림<2>과 같이 p-n접합 다이오드에 외부 전압이 n형 쪽에 +, p형 쪽에 -가 되도록 가해질 때 역방향 전압이 걸렸다고 말한다. 이 때 다이오드를 통해 극히 약한 전류, 즉, 역포화 전류가 n영역에서 p영역으로 흐른다. 이 전류는 낮은 역방향 전압에서 쉽게 최대치에 도달하며 역방향 전압을 높여도 그 이상 더 커지지 않으므로 역포화 전류(Is)라고 부른다.

그림은 Germanium 다이오드와 Silicon 다이오드의 v-i특성을 나타낸 것이다. 그래프에서 전류가 급격히 증가하는 것을 확인할 수 있는데, 이 때의 전압을 문턱전압이라고 한다.

⑵제너 다이오드

제너 다이오드는 다이오드와 마찬가지로 P-N접합 반도체로 이루어져 있다. 제너 다이오드의 P-N접합 반도체 안에는 일반 다이오드의 P-N접합 반도체보다 더 많은 불순물이 들어가 있는데, 이것이 제너다이오드와 일반 다이오드의 가장 큰 차이점이라고 볼 수 있고, P-N반도체 안에 들어있는 불순물의 함량에 따라서 항복전압이 높아지고 낮아지게 된다.

참고 자료

없음