반도체 Mask Patterning 공정 설계 실험 보고서_ A+ 레포트

소개

[[ 대학교 과목: 반도체, 반도체공정, 반도체 공학, 반도체 설계 실험 ]]
보고서 주제 : 반도체 Mask Patterning 공정 설계 실험 보고서_ A+ 레포트
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목차

1. Objective of experiment

2. Experimental equipment

3. Experimental materials
1) Lithography의 원리를 알았는가? 그 원리를 아래에 설명하시오.
2) 모든 실험과정을 자세히 적으시오. (시간, 온도 등 ) 왜 이렇게 했는지도 자세히 적으시오.
3) Resistance, Resistivity, Conductance, Sheet resistance를 모두 설명하고, 수식, 단위를 적으시오.
4) 여러분들이 마스크를 디자인한 concept과 어떤 패턴을 넣었는지 최대한 자세히 설명하시오.

4. References

본문내용

1. Objective of experiment
첫 번째 주의 실험목적은 주어진 Silicon Wafer 에 100, 50, 25 ohm 의 특성 저항 값에 맞게 폭, 길이 등을 계산하여, Mask 패턴을 디자인 설계한다. 이를 바탕으로 Lithography 공정의 초기 단계 실험을 실행해봄으로써, 각각의 공정 단계 의미를 알아보는 것이 이번 실험의 목적이다.

2. Experimental equipment
시편을 담을 케이스, 커터 칼, 절연테이프, 자, Heating machine, spinning spread machine, Tweezer, Blower machine, Photolithography machine, holder, 비커, 보호 장갑, 보호의, 보호안경, 초시계

3. Experimental materials
Si Wafer glass (50 nm Ti Coating on), Ethanol, Methanol, Isopropanol, PR용액 (AZ 7220: positive PR), developer 용액, DOP (Dioctyl Phthalate), H20, Acetone, UV (Ultraviolet light : wavelength λ ≡ 0.2~0.4㎛ )

4. Results and discussion
1) Lithography의 원리를 알았는가? 그 원리를 아래에 설명하시오.
이번 실험과 같이, 반도체 디바이스에 필요한 미세구조를 Patterning의 방법을 사용하여 만들기 위해서는 주로 Photolithography 기술이 사용된다. 먼저 가공하고 싶은 모양이나, 특정 저항이 나올 수 있도록 이번 실험과 같이 “Mask 디자인 설계 과정”을 거친다. 이후 포토레지스트, 즉 이번 실험의 PR용액을 도포한다. PR은 다른 현상액 용매에는 녹지 않고, 유기용매에만 녹는 성질을 가지고 있기 때문에 사용한다.

참고자료

· 『Nano Materials』, 진인주, 이익모, p. 153~158, “나노구조 박막”
· 『나노공학 기초와 미래』, 서영섭, 박영서, p. 58 ~ 61, “광리소그래피의
· 한계와 단점”
· 『반도체 Lithography Stepper 핵심기술 개발』, 한국과학기술원, p. 59~55 ,
· “Wafer pattern 과 마스크 정렬”
· 『나노 테크놀로지』, 주승기, p. 59~68, “초미세 식각기술”