2019 패터닝 예비보고서 (74.5/80)

목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론
3. 실험 방법

본문내용

1. 실험 목적
패터닝의 과정을 이해하고 식각 전후의 박막과 PR의 두께변화를 측정한다.

2. 실험 이론
1) 플라즈마 (Plasma) 란?
(1) 플라즈마
플라즈마는 일반적으로 같은 수의 (+), (-)의 전위를 갖는 소립자를 포함하고 있는 부분적으로 이온화한 기체를 말한다. 플라즈마를 만들기 위해서는 자연 상태의 원자나 분자를 이온화시켜야 하는데 이 때 수십만~수백만℃의 고온이 필요하다. 그러나 높은 전계를 가해주면 낮은 온도에서도 원자나 분자를 이온화시킬 수 있게 된다. 플라즈마를 고체, 액체, 기체도 아닌 물질의 제4의 상태라고 하기도 한다. 이는 고체보다도 높은 밀도로 압축할 수 있고 기체 상채와 같이 낮은 압력에서도 존재하며 예로는 번개, 네온사인, 태양 등이 있다. 공업적으로 사용하는 플라스마의 경우 만개에서 백만 개의 분자나 원자 중에 한 개가 이온화 된 것이다.
(2) 플라즈마의 특성
- 플라즈마는 원자나 분자에 속박되지 않은 전자를 많이 가지고 있기 때문에 외부에서 전계를 걸어주면 전류를 흘릴 수 있다.
- 플라즈마 내부에 있는 전자와 이온들은 자계를 걸어주면 운동방향이 자계방향과 직각으로 원운동하게 된다.
- 플라즈마 내부에는 이온과 자유전자가 열운동을 하기 때문에 분자나 원자를 전리시킬 수 있다.

2) 반도체 제조 공정과 정의 (각각의 단일 공정을 개략적으로)
반도체 제조 과정을 크게 3단계로 나누어진다. 첫 번째는 웨이퍼 제조 및 회로 설계, 두 번째는 웨이퍼 가공, 마지막으로 조립 및 검사들이다.
(1) 웨이퍼 제조 공정
단결정 성장→ 실리콘 봉 절단→ 웨이퍼 표면 안마→ 회로 설계→ 마스크 제작
(2) 웨이퍼 가공 공정
산화(Oxidation) 공정, 확산(Diffusion)공정→ 감광액 도포→ 노광(Exposure)→ 현상(Development) → 식각(Etching) → 이온 주입 (Ion Implantation)→ 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)→금속배선 증착

참고자료

· 인하대학교 화학공학과/ 공업화학, 화학공학 실험교재/ 인하대학교 화학공학과/2019/19~32p
· 월간전자기술 편집위원회/ 전자용어사전/ 성안당/ 1995
· 백운기, 박수문 / 전기화학, 계면과 전극과정의 과학 기술/ 청문각/ 2012/ 77~84p
· 김학동, 이선우, 이세현/ 반도체 공정과 장비의 기초/홍릉과학출판사/2012/4~60,79~82,148~158p
· 한국공업화학회/ 무기공업화학/ 청문각/ 2003/ 186~203p