CMOS-TTL interface 예비보고서

jjangga700

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"CMOS-TTL interface 예비보고서"에 대한 내용입니다.

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● 실험 목적
(1) CMOS의 동작을 이해한다.
(2) CMOS와 TTL의 interfacing 방법에 대하여 이해한다.

● 이론
1. ‘CMOS의 원리’
CMOS는 동일한 실리콘 웨이퍼 위에 n-channel, p-channel device가 동시에 만들어질 수 있는 장점을 가지고 있다.
가본 회로는 inverter로서 <그림 13.1> (a)에 있는 바와 같이 p-channel FET와 n-channel FET로 구성된다. VDD는 +3~18[V]사이이고, low level은 0[V], high level은 VDD이다.
CMOS inverter의 동작원리를 이해하기 위하여 MOSFET의 특성을 정리해 보면
① n-channel MOS는 gate-source 전압이 (+)일 때 전도된다.
② p-channel MOS는 gate-source 전압이 (-)일 때 전도된다.
③ nMOS는 gate-source 전압이 0[V], pMOS는 gate-source 전압이 5[V]일 때 off 된다.

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