[전자전기] CMOS 실험

최초 등록일
2002.11.29
최종 저작일
2002.11
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목차

1.실험목적
2.이론
3.실험예비보고서
4.느낀점
5.참고사이트및 서적

본문내용

1. 실험 목적
(1) CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)의 특성 및 동작을 이해한다.
(2) CMOS IC의 사용법을 익힌다.
2. 이론
(1) CMOS IC란
CMOS란 Complementary Metal Oxide Semicon ductor의 약자로 금속 산화막 반도체 라고 불린다. CMOS는 FET를 기본 소자로 하고 있다. CMOS 는 N채널 MOS-FET 와 P채널 MOS-FET 를 접속한 것으로 각각의 특성을 상호 보완하여 소비 전력과 잡음 여유 등에서 우수한 특성을 가지고 있다. TTL 이 74시리즈로 유명한것처럼 CMOS역시 400 시리즈로 유명하며, TTL못지않은 제품군을 형성하고 있다.
* CMOS 의 특징을 나열하면 다음과 같다.
①소비 전력이 매우 작다.
②전달 특성이 우수하다.
③잡음 여유가 크다.
④집적도가 높다.
⑤입력 임피던스가 높다.
⑥동작 전압 범위가 넓다.

참고 자료

없음

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