nanohub moscab

소개

1.MOSCAP (p-type substrate)의 threshold voltage 조건을 정의하고 Vth의 수식을 유도하시고. (손계산을 하고 스캔하여 ppt에 올릴 것)
2.위 MOSCAP에 대하여 simulation을 진행합니다.
Threshold voltage VTN을 구하시오. Energy band diagram(VG=VTN)을 그리시오. (이 문제는 bias값을 바꾸어 가며 trial and error 방법으로 VTN을 찾아야 합니다. 물론 smart engineer답게 접근해야겠죠. 무작정 아무값이나 random하게 try하기보다는 C-V curve를 참조한다거나 하는…)
3.1의 MOSCAP의 NA를 1.0*1016cm-3로 변경하여 simulation을 진행합니다. Threshold voltage VTN을 구하시오. Energy band diagram(VG=VTN)을 그리시오.
4.위 2가지 경우에 대하여 C-V graph상에 threshold voltage를 표시하시오.
5.1의 MOSCAP의 gate electrode를 tungsten으로 변경하여 simulation을 진행하시오. Threshold voltage VTN을 구하시오. Energy band diagram(VG=VTN)을 그리시오. 변화의 원인을 기술하시오.

목차

없음

본문내용

C-V 특성 그래프에 n+ poly silicon과 tungsten일 때 VTh 표시하여 비교를 해보면 tunsten일 때 VTh가 더 큰 것을 확인할 수 있습니다. 그 이유는 VFB의 크기가 tungsten일 때 더 작기 때문입니다. 즉 work function의 차이(øms)가 tungsten이 더 작기 때문입니다.

Gate 종류에 따른 VTh 변화
확인해보기 위해 바이어스를 걸어주지 않았을 때 n+ poly silicon과 tungsten의 에너지 밴드 다이어그램을 보면 n+ poly silicon이 øms가 큰 것을 확인할 수 있습니다.

참고자료

· 없음