결과보고서 중첩의 원리, 테브난의 정리, 최대전력전달, 비선형소자의 전압전류 특성

목차

1. 중첩의 원리
2. 테브난의 정리
3. 최대 전력전달
4. 비선형 소자의 전압-전류 특성

본문내용

1) 목적
여러 개의 전원을 갖고 있는 회로에서 중첩의 원리를 이용하여 회로를 해석하는 방법을 이해한다.

2) 관련이론
- 중첩의 원리
① 여러 개의 독립전원이 있는 선형 회로에서 임의의 소자나 회로에 흐르는 전류, 전압은 독립전원이 각각 인가되었을 때의 전류 또는 전압의 합은 같다.
② 다수의 전원을 포함하는 선형 회로망의 임의의 점에 있어서의 전류, 또는 임의의 두 점 간의 전위차는 각각의 전원이 단독으로 그 위치에 존재할 때 그 점을 흐르는 전류 또는 그 두 점간의 전위차의 총합과 같다

- 풀이
전원압원에 대해서 해석하면 전류원은 오픈상태가 된다. 그림에서 1번 회로처럼 전압원만 인가된 상태에서의 값을 우선 구한다. 또 전류원에 대해서 해석하면 전압원은 쇼트상태가 된다. 2번 회로와 같이 전류원만이 있는 것으로 값을 구한다. 그리고 두 경우에서 나온 값을 더해주면 전체의 값이 나오게 된다. 이는 선형의 경우에만 가능하다.

3) 사용기기
⓵ 멀티미터 ⓶ 가변전원장치(VPS) ⓷ 건전지(6V) ⓸ 저항:1k, 1.5k, 2.2k ⓹ 브레드보드

4) 실험순서
⓵ 중첩의 원리를 이용해서 각 저항에 흐르는 전류값을 계산한다.
② 전류의 방향을 표시한다.
③ 회로를 결선한다.
④ 멀티미터를 이용하여 저항 양단이 전압강하를 측정하여 전류를 구한다.
⑤ [11-8] 회로를 결선해서 반복 실험한다.
⑥ 위 두 그림에서 얻어진 값을 하나에 표시한다.
⑦ +12V와 –6V의 전원을 동시에 사용하여 각 저항에 흐르는 전류값을 측정한다.
⑧ ⑥에서 얻은 결과와 ⑦에서 얻은 측정값에 대한 오차를 계사한다.
⑨ ⑦에서 얻은 결과와 ①에서 계산한 값의 오차를 계산한다.

12. 테브난의 정리
1) 목적
복합회로를 단일전원과 저항으로 간단히 하여 해석하는 테브난 정리의 기법을 알아본다.

2) 관련이론
* 테브난의 정리(Thevenin's theorem)

참고 자료

전자통신기초실험, 상학당
http://blog.naver.com/clever0100/100108024394
http://cafe.naver.com/electable/3418
https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%85%8C%EB%B8%8C%EB%82%9C%EC%9D%98_%EC%A0%95%EB%A6%AC
http://blog.naver.com/taishin_cns2/220217298642
www.icdevice.com/techinfo/Lecture/phpkCym1Q/rf_circuit_1.pdf
http://www.rfdh.com/bas_sim/linear.htm
http://blog.naver.com/myangle0223/220376485556