경북대학교 전자공학실험1 올A+ 결과보고서 10장

소개

경북대학교 졸업, 서울대학교 석사, 현재 서울대학교 박사과정중입니다.
전공과목 전부 A+ 받았습니다.
예비보고서는 손으로 작성하여 없습니다.
2009년 기준으로 당시 존재하던 모든 족보/소스를 다 통합하여 작성하였습니다.

목차

1. 실험목적
2 .실험내용

본문내용

1. 실험목적
- 바이폴라 접합 트렌지스터의 전류-전압 특성을 알아보고 전류-전압 특성을 이용하여 직류 등가 회로와 소신호 등가 회로의 모델 파라미터를 얻는다.
- BJT 트랜지스터의 동작점과 동작점 안정화를 위한 바이어스 회로의 설계에 대해서 실험한다.

2 .실험내용
실험 1
① 실험전에 사용될 BJT의 정상여부 판별.

<표>

*CMOS invertor와 BJT invertor와의 차이점??
1. 구성
CMOS inverter는 PMOS와 NMOS 각각 한개씩으로 구성되어 있다. 물론 inverter에도 여러가지 종류가 있기 때문에 반드시 맞는 표현은 아니다. 그러나 가장 간단한 구조의 경우에는 맞는 표현이다.
    이 경우에 PMOS의 gate width는 보통 NMOS의 2배 정도를 사용한다.
이유- 표면적으로는 current 때문이지만 좀더 안으로 들어가면 PMOS의 동작은 hole에 의해서, NMOS의 동작은 electron에 의해서 결정되기 때문에 발생한다. (자세한 내용은 반도체 공학에 나옵니다.)
    반면에 BJT inverter (ECL)의 경우에는 최소 3개의 BJT와 2개의 저항으로 이루어진다.
 
2. 동작상의 차이점.
    실제 설계 및 simulation을 해보면 CMOS inverter의 경우 High &Low의 출력 특성이 명확하게 나타난다. 즉, 입력이 high인 경우 출력은 0V에, low인 경우 출력은 Vdd에 가깝게 나타난다.
반면에 BJT inverter의 경우에는 CMOS에 비해서는 완전히 high 또는 low가 나타나지 않는다.
 예를 들면 Vdd = 3V, GND = 0V 일 때, 입력이 0V 이면 CMOS inverter의 경우에는 출력이 3V가 나오지만 BJT inverter의 경우에는 2.5V 정도밖에 나오지 않는다는 의미이다.
 
3. CMOS inverter의 장단점
장점
high, symm noise margin
high input impedance
high gain in transition region

참고자료

· 없음