[대충] 예비 MOSFET의 특성

소개

전자회로실험 MOSFET의 특성에 대한 예비 자료입니다.
기존 등록된 자료들을 보시면 너무나 방대한 내용,
체계적인 정리에 부담스러워 직접 작성했습니다.
실험과목은 기본적으로 1학점이고,
보고서의 경우 기한내 제출만 하시면 10점 만점 중 기본점수가 7~8점입니다.
학점은 보고서가 아닌 시험으로 좌우되기에 보고서를 대충 쓰실분들만 다운 받으시길 바랍니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론
3. 예비보고 사항

본문내용

1. 실험 목적
MOSFET의 세 단자인 소스, 게이트, 드레인의 특성을 모의실험을 통하여 알아본다.

2. 실험 이론
FET라는 이름은 제어단자에 인가된 전압에 의해 생기는 전계로 흐르는 전류를 제어하는 물리적인 동작에서 유래한다. 즉, 쌍극성 접합 트랜지스터가 베이스 전류에 의한 전류제어형인데 대하여 FET는 제어단자의 전압에 의한 전압제어형으로 생각할 수 있다. FET에는 접합 전계효과 트랜지스터(JFET)와 금속-산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 두 종류가 있으나 이 절에서는 특히 증가형 MOSFET에 대해서 설명한다. 다음은 N-채널 MOSFET를 나타낸다. 구조적으로 소스와 드레인 사이에는 n 채널이 존재하지 않는다. 게이트 전압이 0V이면 소스와 드레인 사이에는 전류가 흐르지 않는다. 따라서 MOSFET는 차단상태이다. 게이트전압을 양으로 하면 게이트는 자유전자를 P영역으로 끌어당긴다. 게이트전압이 충분히 크면 산화막(SiO2) 바로 밑에 얇은 n형 물질을 만드는 것과 같다. 이 얇은 도전층을 n형 반전층이라 부르며 이것에 의해 자유전자는 소스에서 드레인으로 쉽게 이동한다.

참고자료

· 없음