아주대 논리회로실험 실험예비8 RAM(Random Access Memory)

소개

아주대 논리회로실험 최연익교수님 A+받은 레포트입니다.
한번도 배포된적 없는 100% 창작 자료입니다.
RAM(Random Access Memory)예비보고서 관련 레포트입니다.
많은 도움 되시길 바랍니다.

목차

1. 이론
(1) RAM
(2) RAM pin description
(3) SRAM,DRAM
(4) IC RAM

2. 실험 시뮬레이션
(1) 2-bit RAM (그림 3)
(2) 64-bit IC RAM-type 7489 (그림 4)

본문내용

● 이론

(1) RAM

RAM(Random Access Memory)은 정보를 저장하거나 저장된 정보를 읽어낼 수 있는 기억장치를 말한다. 일반 적으로 기억장치는 주소(address)개념을 갖는다.
RAM의 동작(operation)은 크게 읽기(read) 동작과 쓰기(write) 동작으로 구분된다. 읽기 동작이란 RAM에 저 장되어 있는 데이터를 읽어내는 것을 말하고, 쓰기 동작이란 RAM에 데이터를 저장하는 것을 말한다. 읽기 동 작을 위해서는 먼저 주소선을 통해 주소값을 입력하고 제어선을 통해 읽기신호를 주면 입력된 주소값에 해당하 는 장소에 들어있던 데이터가 데이터선을 통해 출력된다. 쓰기 동작을 위해서는 데이터가 쓰여질 장소의 주소 값을 주소선을 통해 입력하고, 쓸 데이터를 데이터선을 통해 입력한 후, 제어선을 통해 쓰기신호를 주면 해당 장소에 데이터가 기록된다.

(2) RAM pin description

•ME (CE) : Memory Enable (Chip Enable)
•WE : Write Enable
•OE : Output Enable
•DI[n] : Data In
•DO[n] : Data Out
•A[n] : Address

(3) SRAM,DRAM

RAM의 종류에는 SRAM(Static RAM)과 DRAM(Dynamic RAM)이 있다. SRAM은 하나의 워드가 어떤 위치에 기록되면, 다른 워드를 같은 위치에 저장하지 않는다면, 또한 그 칩에 전원을 공급하는 한 저장된 상태로 남는 것이다. DRAM에서는 각 위치에 저장된 데이터는 주기적으로 그 데이터를 판독하여 그것을 다시 기록해주는 리프레시(refresh)동작이 필요하며, 그렇지 않을 경우 그 데이터는 사라진다. 대부분의 RAM은 전원을 제거하면 데이터를 잃어버리는데 이것을 휘발성 메모리라 한다. SRAM은 Flip-Flop으로 구성되며 DRAM보다 사용하기 쉽고, 정보를 읽고(reading), 쓰는데(writing) 걸리는 시간이 짧은 반면, 높은 집적(대용량 메모리)을 이룰 수 없다.

참고자료

· 없음