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반도체 디스플레이 공학 - MOCVD 공정 표현

"반도체 디스플레이 공학 - MOCVD 공정 표현"에 대한 내용입니다.
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최초등록일 2013.08.14 최종저작일 2011.05
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반도체 디스플레이 공학 - MOCVD 공정 표현
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    목차

    1.1 전체적인 MOCVD 공정 표현
    1.1.1 MOCVD의 Growth step
    1.1.2 MOCVD의 화학적 공정
    1.1.3 MOCVD의 물리적 공정 순서
    1.2 MOCVD 공정의 작동 원리
    1.3 MOCVD 공정에 대한 재료 및 장비 설명
    1.3.1 MOCVD 공정 재료
    ⑴ ZnO
    ⑵ MO Compounds
    1.3.2 MOCVD 공정 장비
    ⑴ Horizontal reactor
    ⑵ Vertical reactor
    ⑶ Planetary reactor

    2. 결론
    2.1 실리콘 박막태양전지용 MOCVD
    2.2 MOCVD 증착 과정 및 공정 요약

    본문내용

    2.1.1 MOCVD의 Growth step
    a. reactant(precursors)가 gas형태로 혼합되어 reactor tube로 흐름
    b. reactor 내에서 mass, energy, momentum transport가 우세한 gas layer 형성
    (based on entry effects and steady-state condition)
    c. 두 가지의 화학반응(homogeneous, heterogeneous)이 일어나 반응물의 농도 감소
    → alloy composition의 변화, growth rate의 감소, epitaxial surface의 거칠어짐
    → 두 가지 화학반응에 의해 reactor 벽면에 parasitic deposition 발생
    d. 부분적으로 분해된 precursor들이 표면으로 확산되어 표면반응이 일어나 원하는 물질을 형성
    e. hydrocarbon형태의 반응 생성물들이 탈착, lattice site로 표면확산이 일어남

    < 중 략 >

    3.1 실리콘 박막태양전지용 MOCVD
    MOCVD는 Metal Organic Chemical vapor deposition의 약자로 금속 유기물 증착법이다. precursor로 금속 유기 화합물(즉, MO Source)을 이용한다. Chamber 안에서 가열 된 기판 표면에 증기압이 높은 금속 유기 화합물 증기를 보내어 원하는 박막을 성장시킨다. MOCVD는 Step coverage가 우수하고, 기판이나 결정 표면에 손상이 없다는 장점을 가지고 있고, 비교적 증착속도가 빨라서 공정 시간을 단축시킬 수 있다. 따라서 고순도, 고품질의 박막을 성장 할 수 있고 생산성도 우수하다. MOCVD는 현재 널리 활용되기 시작한 대형전광판 및 색채영상, 그래픽, 표시소자, 교통신호등 등에 이용되는 발광 소자를 생산하는 데 필수적이고, 특히 강유전 물질을 이용한 메모리 소자의 제작에도 사용된다.

    참고자료

    · R. L. Moon and Y.-M. Houng, in Chemical vapor deposition - Principles and applications, edited by M. L. Hitchman and K. F. Jensen (Academic Press, London, 1993)
    · R. L. Moon and Y.-M. Houng, in Chemical vapor deposition - Principles and applications, edited by M. L. Hitchman and K. F. Jensen (Academic Press, London, 1993).
    · G. B. Stringfellow, Organometallic vapor phase epitaxy: theoryand practice(Academic Press, Boston, 1989).
    · Mechanism of the Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Gallium ArsenideL , Andrew R. Barron (http://cnx.org/content/m25614/1.6/)
    · 한국진공학회지 제19권 3호, 연세대학교 전기전자공학과, 김도영 외 2명 2010년 5월, pp.177~183
    · MOCVD를 이용한 Ga/AsSi 태양전지의 제작과 특성에 대한 연구, 신일철, 임종철, 차인수 ,1997, 동 신대학교 전자전기 공학과
    · www.helmholtz-berlin.de/forschung/enma/materialforschung-pv/se4/arbeitsgebiete/ solarzellenstrukturen/mocvd_en.html
    · http://sciencewise.anu.edu.au/articles/Nanotechnology:http://www.electroiq.com/index/display/semiconductors-article-display/1015272792/articles/solid-statetechnology/semiconductors/materials/2011/2/high-k-semiconductor-materials-from-a-chemical-manufacturer-pers.html
    · http://www.firstnano.com/applications/zincoxide/7/
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