전자회로실험9장] BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스

소개

전자회로실험 A를 받았던 자료입니다.

목차

1. 목적
2. 실험소요 장비
3. 이론 개요
4. 실험순서

본문내용

▶ 이론개요
쌍극성 트랜지스터(BJT)는 차단, 포화, 선형 세 가지 모드에서 동작한다. 각 모드에서 트랜지스터의 물리적 특성과 외부에 연결된 회로에 의해서 트랜지스터의 동작점이 유일하게 결정된다. 차단 모드에서 트랜지스터는 거의 개방 스위치로 동작하며 이미터에서 컬렉터로 작은 양의 역방향 전류만이 존재한다. 포화 모드에서는 컬렉터에서 이미터로 최대 전류가 흐르며, 단락 스위치와 유사하게 동작한다. 흐르는 전류량은 트랜지스터에 연결된 외부 회로에 의해서 제한된다. 이들 두 동작 모드가 디지털 회로에 사용된다.

[BJT 특성]
쌍극성 접합 트랜지스터(bipolar junction transistor, BJT)는 처음으로 나온 고체상태의 능동적인 전자소자로, 전압제어 전류원(아날로그 소자)과 전압제어 스위치(디지털 소자) 두 가지 응용분야에서 사용할 수 있다.

1. 전압제어 전류원
전류원의 기본 특성은 전류원에 흐르는 전류는 전류원의 전압강하에 의존하지 않는 것이다. 다시 말해서
어떤 전압에서도 일정한 전류를 전달한다.
역 바이어스 P-N 접합을 이용하여 전류원을 구현할 수 있다. 역 바이어스 P-N 접합을 통한 전류는 소수 캐리어에 의해 생성된다. 에너지 밴드선도에서 알 수 있듯이 공핍층을 통하여 소수 전자들은 쉽게 떨어지고 소수 정공들은 가전자대에서 쉽게 천이하면서 역 바이어스 전류를 형성한다. 이러한 전류는 P형과 N형 영역 사이의 에너지 차이를 나타내는 역 바이어스 전압 VCB가 아니라 공핍층 양끝에 나타나는 소수 정공들과 전자들에 의해 제한된다. 공핍층을 통한 소수 전자들의 흐름은 물 흐름이 폭포의 높이가 아니라 폭포의 가장자리에 모인 물의 양에 의존하는 폭포모양과 유사하다.

참고자료

· 없음