RAM(Random Access Memory)에 대한 모든 자료 입니다.(RAM의 의미, 종류와 특징, 향후 개발 방향 등)

소개

RAM에 대한 상당한 양의 자료가 담겨있는 레포트 입니다.

RAM의 의미부터 시작해서 비휘발성 메모리의 필요성, 메모리 요구조건, RAM의 종류와 특징(10종 이상)과 차이점, 비교, 향후 메모리 반도체 개발 방향, 산업동향 및 전망, 파급효과 등

RAM에 관한 자료를 얻기 위해서 이 레포트 한개면 충분합니다.

목차

⓵ RAM이란 무엇인가? ············· 1 page
<1> RAM의 의미 1
<2> 비휘발성 메모리의 필요성 1
<3> 메모리의 요구조건 1

⓶ RAM의 종류와 특징 ··········· 2 ~ 11 page
<1> DRAM 2
<2> SRAM 3
<3> FeRAM 5
<4> MRAM 6
<5> PRAM 7
<6> NFGM 8
<7> SDRAM 9
<8> VRAM 9
<9> FPRAM 10
<10> EDORAM 10
<11> SGRAM 11
<12> RDRAM 11
<13> MDRAM 11

⓷ 향후 차세대 Memory 반도체 개발방향 ·· 12 ~ 14 page
<1> 차세대 비휘발성 메모리의 임베디드 응용 가능성 12
<2> 파급효과 13
<3> 산업동향 및 전망 14

⓸ 참고문헌 ················· 14 page

본문내용

<1> RAM의 의미
RAM이란 Random Access Memory의 약자로써 액세스하는 데 어느 위치든지 동일한 시간이 걸리는, 즉 데이터로 접근할 때 random access를 하는 메모리를 뜻한다. RAM(Random Access Memory)의 특징은 전원이 연결되어 있는 상태에서 그 칩의 내부에 데이터를 읽거나 쓰는 것이 가능함이다. 이때 전원이 끊어진 이후에 데이터가 지워지거나 말거나의 여부는 문제가 되지 않는다.

<2> 비휘발성 메모리의 필요성
반도체 메모리는 크게 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리 두 가지 종류로 나눌 수 있다. 현재 주로 사용되고 있는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)과 SRAM(Static Random Access Memory)는 대표적인 휘발성 메모리이고, 동작 과정에서 필수적으로 리플레시(reflesh)작업이 필요하다.
SRAM의 경우, 읽기/쓰기 동작 속도가 매우 빠르고, 마스크나 제조 공정을 추가로 거치치 않아도 논리회로와의 혼재가 쉽지만, 휘발성이라는 점과 한개의 셀 당 6개의 트랜지스터를 필요로 하기 때문에 집적도를 높이기가 어려운 실정이다.
한 셀 당 [1트랜지스터 + 1캐퍼시터]로 구성되는 DRAM은 SRAM보다 고집적화에 적당하나, 캐퍼시터에 축적된 전하는 트랜지스터를 통해 새어 나가기 때문에 수 ms정도 간격으로 리플레시 동작이 필요한 실정이다. 메모리의 집적도가 낮은 경우에는 리플레시 작업에 필요한 소비전력의 양도 그리 문제가 될 만한 정도는 아니나, 메모리의 집적도가 높아짐에 따라 현재의 1~10ms/Mbit에 대항하는 리플레시 레이트(reflesh rate)에는 상당한 에너지가 소모된다. 예를 들면, 1Gbit에 달하는 현재의 DRAM의 경우 리플레시를 위한 소비전력 소모가 전체 동작의 소비전력을 지배할 정도이지만, 고속이며 저렴하다는 장점 때문에 현재까지 가장 많이 사용되어왔다. 따라서 리플레시가 필요 없는 비휘발성 메모리로 대체된다면 소비전력의 감소는 물론, 기동시간의 대폭적인 절감 효과를 기대할 수 있다.

참고자료

· 차세대 메모리 / 한국과학기술정보연구원
· 차세대 나노 메모리 소자 / 한국과학기술정보연구원
· 메모리 반도체 / IITA 기술정책정보단
· http://www.patentmap.or.kr
· http://neasia.nikkeibp.com
· http://www.kisti.re.kr
· http://www.mocie.go.kr