(예비)FET이용 Audio Power Amplifier 제작

소개

FET이용 Audio Power Amplifier 전자회로실험 예비레포트입니다. 해피캠퍼스에 전자회로실험 레포트가 많이 부족하더라구요.특별히 이건, 성균관대학교 전자회로실험 레포트입니다. 아마 최초업로드라 매우 중요한자료가아닐까 생각이됩니다. 송봉식 교수님이 담당하신 수업이구요.그당시 수업 A+받았고, 레포트점수도 만점이었습니다.필요소자 분석, 전체회로도 분석 및 Psim을 이용한 시뮬레이션 분석까지 그야말로 완벽합니다.참고하시고 많은도움되셨으면 합니다.

목차

1. 목표
2. 관련이론
3. 회로도 및 회로분석
4. 시뮬레이션 결과
5. 진행계획

본문내용

실제의 트랜지스터 증폭기들은 흔히 직렬로 접속된 몇 개의 단들로 이루어 진다. 첫째 단 또는 입력단은 이득을 제공한느 것 이외에, 증폭기가 높은 내부저항을 가진 신호 전원으로 구동될 때 신호레벨이 손실 되는것을 피할 수 있도록 높은 입력 저항을 제공해야 한다.
출력단에서는 증폭기가 낮은 부하 저항에 연결될 때 이득이 손실되는 것을 피할 수 있도록 낮은 출력 저항을 제공해야 한다.
이번 실험에서는 다단 증폭기 (MOSFET이용)의 구조와 해석방법을 프로젝트를 수행함으로써 실질적으로 제작한 뒤 이해할 수 있는것을 목표로 한다.

<중 략>

- 공핍형 : 공핍형은 양과 음의 게이트 소스 전압에서 동작한다. 음의 는 핀치 오프 전압이 될 때까지 드레인 전류를 감소시켜 드레인 전류가 흐르지 않게 하고 전달특성은 음의 게이트 소스전압에 대해서는 동일하자만 양의 값에 대해서는 드레인 전류는 계속적으로 증가한다. 특히 게이트는 의 음과 양전압 상태에서는 채널과 절연되어 있으므로 디바이스는 의 어떠한 극성에 대해서도 동작하지만 어느 경우나 게이트 전류는 흐르지 않습니다.
그림 MOSFET의 에 따른 드레인 전류의 변화와 채널 내부 변화

참고자료

· Electronic Device(Floyd, Electronic Device, English Edition, Chapter3)
· Microelectronic Circuits(Sedra, Smith, Microelectronic Circuits, Korean Edition, Chapter3-5)
· Transys Electronics Company
· www.alldatasheet.com