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RAM(Random Access Memory) - DRAM, SRAM, FeRAM(FRAM), MRAM, PRAM

DRAM, SRAM, FeRAM, FRAM, MRAM, PRAM에 대한 종합 레포트입니다.
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최초등록일 2012.12.22 최종저작일 2012.12
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RAM(Random Access Memory) - DRAM, SRAM, FeRAM(FRAM), MRAM, PRAM
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    소개

    DRAM, SRAM, FeRAM, FRAM, MRAM, PRAM에 대한 종합 레포트입니다.

    목차

    1. Random Access Memory
    1.1 RAM(Random Access Memory)이란?
    1.2 RAM의 종류
    1.2.1 DRAM (Dynamic Random Access Memory)
    1.2.2 SRAM (Static Random Access Memory)
    1.2.3 FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
    1.2.4 MRAM (Magnetic Random Access Memory)
    1.2.5 PRAM (Phase-change Memory)
    1.3 RAM의 발달 과정

    2. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
    2.1 DRAM의 동작 원리
    2.2 DRAM의 종류
    2.2.1 Fast Page Mode Dram(FPM DRAM)
    2.2.2 Extended Data Output DRAM(EDO DRAM)
    2.2.3 Synchronous DRAM(SDRAM)
    2.2.4 Double Data Rate Synchronous DRAM(DDR SDRAM)
    2.2.5 RambusⓇ DRAM(RDRAM)
    2.3 DRAM의 다양화 기술
    2.3.1 저전압 동작
    2.3.2 Multi-I/O 구성
    2.3.3 Memory Interleaving
    2.3.4 Synchronous Clocking
    2.3.5 Pipeline 방식
    2.3.6 Multi Bank화
    2.3.7 동작 Mode Setting Register
    2.3.8 SRAM과의 Integration
    2.3.9 Protocol DRAM
    2.3.10 Embedded Memory Logic
    2.4 DRAM 기술 동향
    2.5 DRAM의 산업 전망

    3. SRAM (Static Random Access Memory)
    3.1 SRAM의 구조
    3.2 SRAM의 종류
    3.2.1 Async SRAM (Asynchronous SRAM, 비동기식 SRAM)
    3.2.2 Synch SRAM(Synchronous Burst SRAM, 동기식 SRAM)
    3.2.3 PB SRAM (Pipelined Burst SRAM)
    3.3 SRAM의 특성
    3.4 SRAM 산업의 성장과 현황
    3.5 SRAM 대표 생산업체와 산업전망
    3.5.1 SRAM 대표 생산업체
    3.5.2 SRAM산업 전망

    4. FRAM/FeRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
    4.1 FeRAM의 셀 구조
    4.1.1 강유전체 재료
    4.1.2 FeRAM 셀 구조
    4.2 FeRAM의 동작 원리
    4.3 FeRAM의 기술 동향
    4.3.1 신뢰성 향상 기술
    4.3.2 대용량화 기술
    4.4 FeRAM의 국내외 연구개발 현황

    5. MRAM (Magnetic Random Access Memory)
    5.1 MRAM의 구조
    5.2 MRAM의 동작 원리
    5.3 MRAM의 기술 동향
    5.4 MRAM의 개발 현황
    5.5 MRAM의 응용분야와 향후의 전망

    6. PRAM (Phase-change Memory)
    6.1 PRAM의 구조 및 동작 원리
    6.2 PRAM의 기술 전망
    6.2.1 메모리, MPU 및 MCU 시장 규모 비교
    6.2.2 Embedded PRAM 기술전망
    6.3 PRAM의 개발 현황
    6.4 PRAM의 응용 분야와 향후 전망

    7. RAM의 제조 공정
    7.1 웨이퍼 제조공정
    7.1.1 단결정 성장(Crystal Growing)
    7.1.2 단결정 절단(Shaping)
    7.1.3 경면 연마(Polishing)
    7.1.4 세척과 검사 (Cleaning & Inspection)
    7.2 웨이퍼 가공 공정
    7.2.1 산화 공정(Oxidation)
    7.2.2 감광액 도포 (Photo Resist Coating)
    7.2.3 노광 공정(Exposure)
    7.2.4 현상 공정(Development)
    7.2.5 식각 공정(Etching)
    7.2.6 이온 주입 공정(Ion Implantation)
    7.2.7 화학 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition)
    7.2.8 금속 배선 (Metallization)
    7.3 조립 및 검사
    7.3.1 웨이퍼 자동 선별
    7.3.2 웨이퍼 절단(Sawing)
    7.3.3 칩 접착(Die Bonding)
    7.3.4 금속 연결(Wire Bonding)
    7.3.5 성형(Molding)
    7.3.6 최종 검사

    8. RAM 제조공정의 기술 동향
    8.1 300㎜(12인치)웨이퍼 공정 기술
    8.2 구리칩 배선기술
    8.3 SOI 웨이퍼
    8.4 DUV용 스테퍼(Stepper)
    8.5 마이크로 BGA 패키징 및 웨이퍼레벨 패키징 기술

    9. 참고자료

    본문내용

    1. Random Access Memory
    반도체는 21세기를 살아가는 현대인의 생활 구석구석에 자리 잡고 있으며 비록 대부분의 사람들이 인지하지 못하고 있겠지만 반도체와 떨어져서는 단 하루도 살 수 없는 것이 우리의 현실이다.PC와 노트북은 제외하더라도 휴대폰, TV, 오디오, 청소기, 세탁기, 카메라 등 가전제품에서부터 승용차, 지하철, 버스, 항공기, 선박 등 운송수단 그리고 각종 출입카드, 상점의 계산대, 무인판매대에 이르기까지 반도체의 응용범위는 상상을 초월한다. 이러한 각종 전자제품의 내부에는 필연적으로 반도체가 탑재되기 마련이고, 특히 소비자가 자료를 저장하거나 프로그램을 변경할 필요가 있는 제품에는 전원이 차단되어도 정보가 보존되는 비휘발성 메모리가 반드시 필요하다.
    1.1 RAM(Random Access Memory)이란?
    RAM(Random Access Memory)이란 임의의 정보를 임의의 번지에 기억시켜 어느 번지로부터라도 같은 속도로 정보를 읽어 낼 수 있는 메모리를 말한다. 기능적으로는 정보를 장기간 보존할 수 없고 일정기간마다 기억내용을 읽어 내서 다시 기록해 넣는 동작이 필요한 다이나믹형 메모리와 전원이 끊어지지 않는 한 정보가 소거되지 않는 스태틱형 메모리로 분류할 수 있다.

    <중 략>

    8.5 마이크로 BGA 패키징 및 웨이퍼레벨 패키징 기술
    반도체소자의 소형화 지향은 휴대형 제품에 응용되는 반도체소자에서 두드러지며 끝이 보이지 않을 정도로 경쟁이치열하다. 휴대용PC 와이동 전화 제품의 경박 단소화가 핵심부품인반도체를 더욱 작게 만들도록 유도하고 있으며 이러한 제품의 다기능화가 고집적화를 유도하고 있으며이러한 요구는 마이크로BGA(Ball Grid Array)패키징 기술 및 웨이퍼레벨 패키징 기술의 발전을 가져왔다.
    그동안 적용되어 온 일반적인 반도체패키지는 리드프레임 위에 완성된 칩을 접착하고 칩과 외부연결리드를 연결한 후 이를 다시 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)로 밀봉하는 매우 복잡한 형태이지만, 웨이퍼 레벨 패키징은 웨이퍼에서 칩으로 절단하여 낱개의 칩을 패키징 하던 칩 레벨 패키징 공정 대신 웨이퍼상태에서 패키징과 테스트한 후 낱개의 완제품으로 절단하는 패키징 방법으로 기존 패키징 방법보다 공정이 줄고 웨이퍼상태로 모든 공정을 거치게 되므로 비용절감이 기대된다. 또한 패키지의 크기도 칩 크기와 동일하여 전자기기를 소형화하는데 큰 이점이 있다.

    참고자료

    · 차세대 메모리 / 비휘발성 메모리 동향 및 가능성 / 한국과학기술정보연구원, 2005. 11
    · 차세대 메모리 / 한국과학기술정보연구원, 2004. 6
    · 차세대 나노 메모리 소자 / 한국과학기술정보연구원, 2004. 12
    · 플래시 메모리 수출 현황 / IITA 기술정책정보단, 2005. 11
    · 메모리 반도체 / IITA 기술정책정보단, 2005. 9
    · 차세대 비휘발성 메모리소자 기술개발사업 추진전략 / 산업자원부, 2005. 5
    · PRAM 기술 전망 / 전자통신동향분석 제 20권 6호, 2005. 12
    · 자기메모리(MRAM) 기술의 동향과 발전전망 / 김영근 / 물리학과첨단기술, 2007. 12
    · 플래시 메모리의 개요 및 구성 / 특허청
    · 유비쿼터스용 유니버설 메모리 기술 (MRAM, FeRAM, PRAM) / 유병곤, 류상옥, 윤성민 / 전자통신동향분석 제20권 제1호, 2005. 2
    · 실용화 단계에 접어든 FeRAM의 최신 기술 동향 / EP&C, 2003. 1
    · http://raonlife.com/navilera/blog/5/#blog_21
    · http://www.nanotech.re.kr/pds/rboard3/NanoWeekly270.pdf
    · http://www.buysemi.co.kr/
    · http://cpu.kongju.ac.kr/ezboard/db/data_file/upload/200112300004/flash.pdf
    · http://violetlife.com.ne.kr/pds1/dram.html
    · http://blog.daum.net/hollywoodjockey/11879242
    · http://k.daum.net/qna/view.html?qid=2eZES
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