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IC 프로세스 과목에서 이온주입에 대한 과제로, 주어진 조건에 대해 이온주입에 관한 문제풀이가 상세히 나와있습니다.목차
1. 이온 주입 면적이 300cm2일 때, [40]
2. 0.25μm 두께의 SiO2를 통하여 붕소가 주입되었다. 주입된 붕소의 에너지는 60KeV이고, 도즈는 1013cm-2이다.[40]
3. 에너지가 10KeV로 실리콘 표면에 이온주입된 붕소의 도즈를 측정해보니 2X1015cm-2이다.[30]
4. Source 및 Drain 영역을 50KeV로 주입할 경우, Photoresist(감광액)를 Implant Barrier(Masking Layer)로 사용하려고 한다. 다음 각 경우에 Photoresist의 두께를 구하시오.[30]
5. 붕소를 채널영역에 주입하여 NMOS FET의 문턱전압을 증가시키려 한다. Shallow implant인 경우 VT shift는 ΔVT = qQ/Cox로 주어진다. ΔVT = 1V이고 게이트 산화막 두께가 50nm일 경우 붕소의 도즈를 구하시오.[20]본문내용
1. 이온 주입 면적이 300cm2일 때, [40]
ㄱ) 이온의 단위 주입량(dose), φ와 웨이퍼에 도달하는 전체 전하량, Q와의 관계를 1가 이온에 대하여 μC 단위로 유도하시오.
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