트랜지스터 2단 증폭회로 설계

소개

트랜지스터 2단증폭회로 피스파이스 시뮬레이션 작동 및 동작점 교류등가회로 직류바이어스회로 해석

목차

1.실험 목적

2. 증폭회로 해석
(1) 각 노드에 걸리는 전압 및 파형을 이론적으로 구하시오.
(2) MULTISIM 를 이용하여 전체 회로를 구성한 후 각 노드에 걸리는 전압 및 파형을 구하시오.
(3) 이론치와 MULTISIM 로 얻은 값들을 비교하고, 이들 간에 차이가 있다면 이유를 간단히 설명하시오.
(4) emitter 저항값을 바꾸어 동작점을 변경시킨 후 MPP (maximum peak-to- peak unclipped voltage) 가 어떻게 바뀌는지 이론적으로 구한 후 MULTISIM 를 통한 시뮬레이션으로 확인하시오.

*고찰

본문내용

1.실험 목적

아래의 회로의 이론적인 수치 계산과 MULTISIM 프로그램을 사용하여, 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높이고, 현실적 제한 요소를 고려하도록 한다.

<중략>

이론값으로 구한 전압과 MULTISIM을 이용하여 구한 값이 거의 일치하는 것을 위의 표로서 알 수 있다. 하지만 아주 이상적인 이론값과 다르게 MULTISIM의 값은 커패시터의 주파수에 의한 임피던스 값을 무시하지 않고 결과 값을 나타낼 것이다. 실제로 우리가 실험을 할 때 전선에서의 저항성분과 트랜지스터 각각의 다른 증폭률에 의하여 오차가 더욱 심했지만 MULTISIM에서는 전선의 저항값은 0옴으로 생각되며 증폭률 또한 고정된 값일 것이다. 따라서 MULTISIM에서와 아주 이상적인 이론값과의 오차는 주파수에 의한 커패시터의 임피던스에 의한 것이 가장 크다고 생각된다. 또한 이론값과 MULTISIM의 결과값이 가장 큰 오차를 보인 부분이 c,d,e인 것으로 커패시터와 근접해있는 점이 많은 오차를 보여주는 것 또한 커패시터의 임피던스에 의한 오차라고 보이며, 특히 e점에서 많은 오차를 보인 것은 2단으로 증폭이 되었기 때문에 오차가 많은 증폭에 의하여 생긴 차이라고 생각한다. c점에서도 사실상 커패시터에 의한 교류 그라운드에 의해서 교류값은 0V가 나오는 것이 당연한 것이다.

<중략>

고찰
피스파이스를 이용한 이단 트랜지스터 증폭회로의 파형과 동작점에 관한 이해를 할 수 있는 설계과제를 통하여 이전에 실험했던 트랜지스터의 증폭과 전자회로시간에 배운 DC load line과 AC load line의 이해를 도울 수 있었다. 먼저 트랜지스터의 증폭률을 구하기 위하여 회로의 DC등가회로와 AC등가회로를 구하여 트랜지스터의 증폭률과 각각의 로드에 걸리는 직류와 교류의 전압을 구하여 출력 전압을 계산 할 수 있었다. 일반적으로 트랜지스터의 증폭률은 약 100배 이상으로 이번 설계에 사용한 회로의 증폭률은 158배였다.

참고자료

· 없음