기초회로 실험. 24장 다이오드의 기초(예비레포트)

소개

실험한 자료를 레포트형식에 맞게 실험 목적, 실험재료, 관련이론, 실험순서 , 실험데이터, 결과및분석, 참고문헌 순서대로 작성한 것입니다.

목차

없음

본문내용

24장 다이오드의 기초



전자 공학과 학년 조 학번 : 이름 :

1. 실험 목표
? 반도체의 기본 물성과 이를 이용한 반도체 다이오드의 전기적 특성을 실험을 통해 확인
2. 관련 이론
1. 물질의 전기전도성
물질을 전기전도성에 의해 분류하면 크게 절연체, 반도체, 금속으로 분류할 수 있다. 대표적인 반도성 물질인 Ge이나 Si은 모두 원소 주기율표 4족에 속하는 원소로서 전자와의 결합성이나 그 결정 구조면에서 유사한 성질을 갖고 있다. Si에서는 원자와 전자를 1개씩 내어 공유결합을 한다.

2. 진성반도체
진성반도체는 불순물이 거의 들어 있지 않은 순수한 반도체로서 이들의 전기 전도성은 이들 물질의 고유한 물성에 의해 결정되고 있다. Sisms 공유결합의 형태를 취하고 있다. Si이나 Ge과 같은 반도체는 에너지밴드 모델로 볼 때 일반 절연제와는 달리 가전자대와 전도대간의 에너지밴드갭 Eg가 비교적 작은 편이다. 진성반도체의 경우 실온에서 가전자대에 있던 전자가 전도대로 여기되어 전도전자로 되는 것은 매우 어려운 일이지만 확률적인 통계 분포상 극히 일부의 전자는 전도대로의 여기가 가능하게 된다.

참고자료

· 없음