lab4

소개

바이폴라-트랜지스터의 원리

목차

Ⅰ 실험목표

Ⅱ 부품과 실험장치

Ⅲ 기초 이론

Ⅳ 실험 절차

본문내용

Ⅳ 실험 절차

• 저항계를 사용한 바이폴라 트랜지스터의 단자 확인
0.7V보다 큰 내부 전압원을 갖는 저항계를 이용하면 트랜지스터의 단자를 확인할 수 있다. 저항계는 극성을 갖고 있으므로 일단 다이오드에 적용하여 저항계의 극성을 확인하는 것이 좋다. PN 다이오드에서 띠가 둘러진 쪽이 음극(n type, cathode)에 해당됨을 상기하라. B-E 접합과 B-C 접합은 저항계를 순방향으로 연결시 유한한 저항값을 보이는 반면, 역으로 연결하거나 E-C사이를 측정하면 저항값이 거의 무한대로 나올 것이다. B-E와 B-C는 저항값의 크기로 구분 가능하다. 일반적으로 B-C 접합의 단면적이 B-E 접합보다 크기 때문에 저항값은 작게 나온다. 이러한 사실을 이용하면 저항계로 바이폴라 트랜지스터의 타입과 단자를 확인할 수 있다.

• 이제 트랜지스터를 옴미터로 측정하여 트랜지스터의 타입(npn vs pnp)과 각각의 핀들을 확인하여라. 양쪽의 극성에 대해 컬렉터와 에미터 사이의 저항 값은 무한대라는 것을 주목하고 측정을 해 보도록 한다. 필요한 경우에, 반도체를 판단하는데 옴미터를 사용할 수도 있다.

E1.1 디바이스 전류의 안정화(npn)
• 목표 : 효과적이면서 간단한 biasing을 실험한다.
• 실험장치 - 정확한 실험결과를 위해 사용할 저항의 값을 미리 측정하라.

참고자료

· 없음